在一定的温度下,半导体中的电子处于一种热平衡状态激发.pptVIP

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2016-07-20 发布于天津
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在一定的温度下,半导体中的电子处于一种热平衡状态激发.ppt

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在一定的温度下,半导体中的电子处于一种热平衡状态激发

;态密度g(E) 能量E附近单位能量间隔内电子的量子状态数;各向同性（等能面为球面）：导带底极值在k=0处;在k空间，单位体积中有2V0个电子状态，则dV体积中的电子状态数为dZ=2V0dV，则;对实际材料，如Si, Ge的导带底附近等能面不是球面，而是旋转椭球面，即;假设共有s个旋转椭球，则k空间中单位体积中有s2V0个电子状态，即dV体积中的电子状态数为dZ=s2V0dV，则 ;相同的方法可以得到价带顶附近电子的态密度 ;Ex. 1、2;Ex.1: 计算能量在E=Ec到之间单位体积中的量子态数。 Ex.2: 设二维正方格子的晶格常数为a，若电子能量写为，求电子的状态密度;Fermi能级;E-EF5kBT，f(E)0.993 E-EF5kBT，f(E)0.007;实际半导体材料：EF在禁带中，即;Review