北京理工大学徐特立学院徐特立英才班模拟电路贯通(一)技术方案.pptVIP

课程内容;*;*;;§ 1.1.1 本征半导体;2.本征半导体的导电机理;;三、本征半导体中载流子的浓度 ;;;三、杂质半导体的浓度;§1.2 PN结;;;;1、空间电荷区中只有短暂经过的载流子。;;; 3 PN结伏安特性; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；; 1-2-3、 PN结的温度特性;+;+;UD7V 发生雪崩击穿;1 势垒电容CT;扩散电容示意图; §1-3 晶体二极管;半导体二极管图片; 1-3-1二极管伏安特性;特点：;1、动态电阻rd：; 因此，二极管的动态电阻可用静态电流来计算，且ID?? rd ?。;二极管的应用 直流稳压电源;*;电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 ;Io;;1-4-1 三极管工作原理;二、BJT的放大（控制）作用：;*;三、三极管的电流分配关系;四、共射接法的直流电流分配及放大倍数;;一、共射输入特性;二、共射输出特性;uCE(V);1-4-3??主要参数;1. 共基交流放大倍数;1.对集-基极反向截止电流ICBO的影响; 温度升高时，对于正向偏置的发射结，如果保持正向电流iE不变，那么正偏电压必须要减小。无论硅管还是锗管，每升温1°，减小2～2.5mV/℃，可以表示为：;*;§1-5 场效应管