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第五章 ECL和I2L电路 ;5-1 ECL电路;一、ECL电路的工作原理;整个电路可分为三大部分:
电流开关、
定偏电压源、
射随器输出
1:电流开关
由T1、T2及负载电阻RC1、RC2, 耦合电阻RE构成,完成“或”及“或非”功能。RP为下拉电阻。
当A、B开路时 : ; 设A、B至少有一个高电平,则VE上升,T2截止,VC1为低电平 VC2输出高电平
此时:
设A,B全为低电平,T1截止,T2导通 VC1高电平 VC2低电平
故: ;2:射随器输出
由T3,T4,RO1,R02构成。
电流开关虽已完成了或/或非的基本功能,但存在两个致命的缺陷:
其一是负载能力的问题。
其二是前后级的耦合问题。
设VOH=OV,驱动下级门,此时后级门VC1=- α IERC<0 V。于是T1进入饱和,与ECL非饱和相矛盾; 显然,加射随器首先解决了负载能力问题
其次,降低了输出电平:
设 VBE3=VBe4
IEIRC1=IE2RC2
则两个输出端“0” “1”电平分别等值。;现在分析耦合问题
设:VA=VOH=-VBE
则:VC1=-αIE1RC1
VCB=- α IE1RC1+VBE
根据非饱和要求,应有VCB≥O
- α IE1RC1+VBE ≥O
(- α IERC-VBE)+VBE≥-VBE
VOL-VOH≥-VBE
VOH-VOH≥VBE
于是:ECL电路逻辑摆幅小于VBE。;3.参考电压源VBB; 当温度变化时,VOH ,VL变化,于是VBB应跟随变化。
将VOH ,VL代入:VBB = - VBE
这就是对参考电源的要求
分析参考电压源
当D采用BE结,适当地选了以R1, R2数值。
可使VBB保持在高、低电平的中点。;二、ECL电路的特性及参数;将VE代入,
以曲线直观地表示如图:
对ECL,通常定义:
当 时,对应的Vi为关门电压VIL;
当 时,对应的Vi为开门电压VIH。;又:
当 时:
于是:
同理可求:
过渡区宽度: ; 2、主要直流参数抗干扰:
a:VOH
b:VOL
c:VIL, VIH
d:VNMH, VNML; 负载能力:
a:输入电流IB
b:最大输出电流IOM
规定加负载后:
c:扇出:
但No多,引线寄生电容大,故一般规定No~8。; 静态功耗
RE:输入高电平:
输入低电平:
R3:
R2:
R01、R02电流互补:
总电流:IEE=9.4mA
静态功耗:P=48.9mW; 3、瞬态特性:
ECL电路的高速性能可以从以下几个方面反映出来:
A:逻辑摆幅小,节点电流充放电幅度
小,时间短。
B:晶体管不进入饱和,无存贮时间。
C:定偏管T2工作于共基极状态,输入管
T1基极电位变化幅度小,相当于定偏
管电流作为输入信号,通过射极传递
到集电极,故T1类似于共基使用,频
响好。; 三、逻辑扩展:
1.多输出端“或/或非”门
在单输出门基础上增加射随输出器。
2.“或与/或与非”门:; 3.“与/与非”门
; 4、“异或”门
;四、版图设计特点:; b、VL极限值为VBE
2、电流开关晶体管特性要求一致,尺寸相同,
位置靠近。
3、除偏置电源外,所有晶体管图形尺寸尽可能
小,并尽量减小后,以提高,改善响应速度。
4、所有输出管应特性一致,故图形尺寸一致,置
于同一隔离区,以保证各端输出等电平。;5-2 I2L电路; 性能
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