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第3章 材料的电学;载流子(电荷的自由粒子)
无机材料中的载流子可以是电子(负电子,空穴),离子(正、负离子,空位)。载流子为离子的电导为离子电导,载流子为电子的电导为电子电导。
;
;如果介质处在外电场中,则作用于每一个载流子的力等于 。在这个力的作用下,每一载流子在 方向发生漂移,其平均速度为 。容易看出,单位时间(1s)通过单位截面 的电荷量为; 该式为欧姆定律最一般的形式。因为 、 只决
定于材料的性质,所以电流密度 与几何因子无关,
这就给讨论电导的物理本质带来了方便。;
;;动画;Hall系数只是与材料的载流子种类和浓度有关,利用Hall效应制得的电子器件称为“霍尔器件”。; 霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下,产生横向移动的结果,离子的质量比电子大得多,磁场作用力不足以使它产生横向位移,因而纯离子电导不呈现霍尔效应。利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导。;在与电流垂直的方向加磁场后,沿着电场方向的电流密度有所降低,这种由于磁场的存在导致半导体电阻增大的现象,称为“磁阻效应”。
分为:物理磁阻效应和几何磁阻效应;;;;;;V族元素在硅锗中是体位式掺杂,如掺磷原子,形成共价键后,剩余一个价电子。;Si、Ge而言,施主通常是V族元素。电离能较小,在Si中约0.04~0.05eV,Ge中约0.01eV。;;;受主电离:能够接受电子而产生导电空穴,形成负电中心的过程。;Si、Ge而言,施主通常是III族元素。电离能较小,在Si中约0.045~0.065eV【In是唯一例外,达0.16eV】,Ge中约0.01eV。;;能带示意图;;;;;动画;动画;;;V 晶体体积;mdn导带电子状态密度的有效质量;Ec导带底能量值;;;;;;;;;;;;;;;;;;与3-39结论符合;多子=多数载流子;勿略ND的贡献;;;;N0 = nD+ = 0.083ND = 1.9x1019个/ cm3;;;;;;(1)、;(2)、;(2)、;(3)、;迁移率是表征载流子在材料中运动难易程度的物理量,载流子遇到散射的作用强,迁移率就小,散射弱,迁移率就大。
为了得到迁移率与杂志浓度和温度之间的关系,引入“平均自由时间”、“平均漂移速度”和“散射概率”;N0是在t = 0 时刻未遇到散射的电子数;
在t~t+dt时间内遇到散射的所有电子的自由时间均为t;散射后沿x方向的平均速度;;总的散射概率P为各种散射概率之和,即:
P = PI + PII + PIII + ???
考虑到τ= 1/ p;;;;;;
晶格原子吸收热能后挤入晶格间隙,产生间隙原子,原来位置称为空位。间隙原子与空位不断产生与复合,最后达到热平衡
(a).弗伦克尔缺陷
成对出现的间隙原子和空位。
(b).肖特基缺陷
在晶体内只形成空位而没有间隙原子。; 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为:; 热缺陷的浓度决定于温度T和离解能 。常温下
比起 来很小,因而只有在高温下,热缺陷浓度才显著大起来,即固有电导在高温下显著。
杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。因为杂质离子的存在,不仅增加了电流载体数,而且使点阵发生畸变,杂质离子离解活化能变小。和固有电导不同,低温下,离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。;动画; 间隙离子处于间隙位置时,受周围离子的作用,处于一定的平衡位置(半稳定位置)。它从一个间隙位置跃入相邻原子的间隙位置,需克服一个高度为 的“势垒”。完成一次跃迁,又处于新的平衡位置上。; 无外加电场时,间隙离子在晶体中各方向的迁移次数都相同,宏观上无电荷定向运动,故介质中无电导现象。加上电场后,由于电场力作用,晶体中间隙离子势垒不再对称。对于正离子顺电场方向“迁移”容易,反电场方向迁移困难。; 则顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁次数分别为:; 则单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁速度为:;当电场强度不大时,;故载流子沿电流方向的迁移率为:;1.离子电导的一般表达式;——电导活化能,它包括缺陷形成能和迁移能。;若物质存在多种载流子,其总电导率为:; 离子电导是在电场作用下离子的扩散现象,如图所示。离子扩散机构主要有:;——扩散系数
——离子绝对迁移率; 随着温度的升高,离子电导按指数规律增加。
低温下杂质电导占主要地位。(下图中曲线1)。这是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化
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