3存储器系统解说.doc

《第5章 多级结构的存储器系统 》 主要内容：RAM、SRAM、DRAM、ROM、EEROM、磁盘、光盘、内存、外存、高速缓存、 虚拟存储器、程序运行的局部性原理、多级存储系统 5.1 概述 从物理层面看 半导体存储器：SRAM,DRAM,ROM,EEPROM…… 磁盘存储器:硬盘 光盘存储器 从冯诺依曼计算机的组织结构看，从CPU的角度看，存储器分为： 内存（主存）：存放计算机中当前运行的程序和数据。CPU从内存中读取指令和数据，并把计算结果写回内存。主存使用半导体存储器。 外存（辅存）：存放计算机中的程序和数据，在CPU需要时才调往主存。所存储的信息可以长期保存。外存主要由硬盘、磁带、光盘等构成。 相对于内存，外存读写速度慢，但容量大，价格低廉。 从逻辑角度，存储器系统分为3级，2个层次，包括： 缓存层次：由缓存（Cache）-主存构成。目的是为了和CPU的速度相匹配。缓存是速度比主存快、容量比主存小的半导体存储器SRAM组成。 虚存层次：由主存-辅存构成。目的是为了和CPU希望访问信息的容量相匹配。 根本目的是使CPU访问存储器的读写速度接近于高速缓存，容量和成本接近于虚存，实现一个性能/价格比较高的存储系统。 层次间应满足的原则 ： 一致性原则：处在不同层次的同一个信息应保持相同的值。 包含性原则：处在内层的信息一定被包含在其外层的存储器中，反之不成立。 存储器系统能够有效工作的根本原因：程序的局部性特征。 早期的计算机直接访问内存，没有缓存和虚存。 5.2 存储器分类 按存储介质分类: 半导体存储器： MOS型存储器：集成度高、功耗低、成本低；但速度慢。 双极型（TTL型或ECL型）： 用作主存或高速缓存。 磁表面存储器： 将磁性材料涂复于金属或塑料基体上，用磁层记录信息，例如磁盘、磁带等。 容量大、速度慢、价格低，一般用作辅助存储器。 光存储器： 基于激光技术的存储器，如光盘。 存储容量很大，用作辅助存储器。 按访问方式分类: 随机访问存储器（Random Access Memory, RAM） 访问任何一个单元的时间都相同。 RAM的物理实现是半导体存储器。 主存和高速缓存都属于随机访问工作方式。 只读存储器（Read Only Memory, ROM）： 只可一次写入、多次读出，与RAM类似。 可靠性高和成本低。 ROM和RAM可以共享主存的地址空间，是主存的组成部分。ROM用来保存断电后依然不丢失的信息，例如计算机的引导程序，各种字符及符号的字型库等。 顺序访问存储器（Serial Access Storage）： 访问不同存储单元需要的时间不同。 磁盘、磁带等磁介质存储器属于这种工作方式。 按信息是否易失分类: RAM中保存的信息在断电后立即消失，被称作易失性存储器。 ROM、磁性存储器、光存储器中保存的信息能长期保存，不受断电的影响，称作非易失性存储器。 如果当前操作的结果保存在易失性存储器中，必须将其转移到非易失性存储器中，才可以结束当前的工作；否则，这些信息将被丢失。5.3 主存储器RAM的基本原理： 主存储器是整个存储系统的核心，计算机运行期间所需的程序和数据都存放在这里，CPU可直接地、随机地访问主存中任何单元。 主存储器是随机访问存储器，可由RAM和ROM组成。 RAM的结构 5.3.1 静态存储器（SRAM）Static Random Access Memory 基本存储元是触发器。 Sel：地址选择线，即字线。地址译码器的输出，用于选择字。 Sel=0 时，晶体管T截止，触发器与外界隔离，实现信息存储。 Sel=1 时，晶体管T导通，结点a与结点data接通。 Write =1且 Read =0： 数据输入端di与结点data接通。 若sel=1，则新的信号值将到达结点a，经过2级反向器的传输 延迟后，再次到达结点a，形成反馈。触发器将保持此值不变。 实现写入存储元的功能。 Write =0且 Read =1： 结点data与数据输入端di断开，而与数据输出端qi接通； 使触发器中原来保存的值到达SRAM的输出端qi。 实现从存储元读出的功能。 5.3.2 动态存储器 Dynamic Random Access Memory（DRAM） 的基本原理： 虚线框内是DRAM的基本存储元。 依靠储存在电容C上的电荷保存信息。 电容C上有电荷表示1；电容C上无电荷表示0。 Sel = 1时，DRAM的基本单元被选中，MOS晶体管T 导通，可以通过T向电容C充电或放电。 Sel =0 时，晶体管T截止，电容C被隔离，电容上的 电荷得以保存。 写数据： data =1，通过晶体管T向电容C充电； data =0，电容C上的电荷通过晶体管T向结