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12 电容器陶瓷;电容器; 片状电容器贴片式多层陶瓷电容器MLCC ;电容器陶瓷分类;电容器陶瓷分类;电容器陶瓷分类;电容器陶瓷分类;一、高频温度补偿型介电陶瓷;高频温度补偿型介电陶瓷;二氧化钛;损耗随温度升高而增大，随频率升高而减小，当频率升高ε= f(T)在高温方向出现增大。;二、高频温度稳定型介电陶瓷;高频温度稳定型介电陶瓷;如何使常用的高频温度稳定型介电陶瓷材料如MgTiO3的aε≈0 ;钛酸镁瓷的烧结;如何使常用的高频温度稳定型介电陶瓷材料CaSnO3 的aε≈0;引入CaTiO3;三、低频高介型介电陶瓷;1、BaTiO3系及铁电材料; 2、铁电材料的自发式极化;铁电体的自发极化;A为电价较低、半径较大的离子Ba2+，和O2-离子按面心立方密堆积。B为电价较高、半径较小的离子Ti4+，处于氧八面体中心，B离子有6个配位氧，A离子则有12个配位氧。这样[B-O6]八面体彼此以顶角相联成三维结构。当T120℃时则为四方晶型，其中c轴略有增长，a，b轴略有缩短，c/a ≈1.01。该温度范围沿c轴出现自发极化呈现铁电性。;钛酸钡晶胞与自发极化图;铁电体的相变;3、BaTiO3的三次相变、四种晶型;钛酸钡介电温度特性;BaTiO3介电常数与温度关系;BaTiO3的三次相变、四种晶型;BaTiO3介电常数与温度关系;BaTiO3介电常数与温度关系;BaTiO3介电常数与温度关系;4、铁电材料的电畴结构;电场、电畴、自发极化强度;5、电场、电畴、自发极化强度和电滞回线;铁电性电滞回线;铁电相电滞回线和顺电相P-E关系;电滞回线;电滞回线;电滞回线;当反向电场强度继续增加时，反向极化强度则迅速增加，直到D点达到饱和状态 当电场强度从 -ES再度变化至 +ES时，P值由DHB曲线变化至C点，从而形成一个回线，被称为“电滞回线”;直流电场Ｅ下电畴与极化;6、自发极化、ε、tanδ值与频率;BaTiO3的ε、tanδ值与频率;顺电体、单晶、多晶陶瓷的电滞回线;7、BaTiO3的改性;居里区—高ε区;居里区—高ε区;移峰效应;移峰与压峰;BaTiO3陶瓷的击穿;8、SrTiO3系;9、反铁电系;反铁电体;反铁电系典型材料PbZrO3, PbxLa1-x(Zr,Ti,Sn)O3;四、半导体（低频）型介电陶瓷;1、表面层型介电陶瓷; 阻挡层型电容器：以金属电极与半导体表面所形成的阻挡层为介质。阻挡层很薄，一般为3μm。阻挡层型电容器的绝缘电阻低、绝缘强度差，只能在很低电压下使用;氧化层电容器是以半导体瓷表面的氧化层作为介质。而氧化层型的工作电压可达100V。;2、晶界层型介电陶瓷;晶界层型介电陶瓷的主要材料是钛酸钡和钛酸锶。;晶界层型介电陶瓷制造;BaTiO3陶瓷的半导化;晶界层型介电陶瓷制造;晶界层型介电陶瓷制造;不同的组成和工艺可以得一系列不同介电性能的半导体瓷;2、除Ba(Ti,Sn)O3和(Ba,Sr)TiO3等固溶体瓷外，还有在空气中烧成、不再需要高温处理的高介材料。这种材料是用高纯原料配制，经球磨后先在950～1100℃下合成，然后磨细加粘合剂后压制成型，于1300～1400℃下空气烧成。;; 五、叠层（独石）电容器陶瓷;叠层（独石）电容器;叠层电容器电极材料;叠层电容器三种类型;叠层电容器材料;叠层电容器结构特点及制造工艺;1、低温烧结Ⅰ型(高频)叠层电容器材料; Ⅰ型叠层电容器材料生产 1、三个系统的瓷料进行不同比利的配合，获得不同温度系数材料。 2、这三个系统均是通过选择成瓷温度较低的铁电材料或反铁电材料改性成顺电材料而制成的。 3、加入合适的溶剂或助溶剂，降低烧结温度 ;① 铌铋镁系统;铌铋镁系统烧结;铌铋镁系统其ε的温度特性;综合作用 A、为了调整温度系数向负方向发展，常加入一定量的TiO2。TiO2温度系数约为-800×10-6/℃。加入二锆钙(CaO·2ZrO2)可以使瓷料的温度系数向正方向移动。CaO·2ZrO2本身温度系数为+100×10-6/℃， B、实践证明二锆钙的加入还有 抑制渗银 的作用。二锆钙烧块由方解石及ZrO2合成，合成温度约为1300℃，烧块呈粉白色。 C、二锆钙加入过多会使 烧成温度升高。;铌铋镁瓷料的特点;② 铌铋锌系统铌铋锌系瓷料性能优良、很有发展前途的低温烧结高频瓷料。;解决电容器tanδ值过高的问题;③ Pb(Mg1/2W1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系统;PMW-PMN系瓷料的烧结;;表12.4说明 表中SNN烧块合成温度为1100℃，而PCW不需预先合成，按氧化物加入一次料中。5#玻璃即硼硅铅玻璃。2#玻璃组成为ZrO２1.5%，ZnO45%，V2O535%，B2O3 20%，Na2O 2%。其软化点为418℃，可