半导体三极管概论.pptx

半导体三极管授课教师：***授课时间：*年*月*日1.BJT的结构简介分类：按频率分有高频管、低频管按功率分有小、中、大功率管按材料分有硅管、锗管按结构分有NPN型和PNP型半导体三极管的结构类型:NPN型和PNP型。NPN型PNP型发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子2.放大状态下BJT的工作原理为什么三极管正常工作时要这样加电压呢？发射区向基区注入载流子集电结应加反向电压（反向偏置）发射结应加正向电压（正向偏置）集电区从基区接受载流子2.放大状态下BJT的工作原理（1）三极管内载流子的传输过程2.放大状态下BJT的工作原理（2）电流分配关系2.放大状态下BJT的工作原理（3）三极管的三种组态（c）共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。（b）共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；（a）共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；2.放大状态下BJT的工作原理（4）放大原理输入电压的变化，是通过其改变输入电流，再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化，所以BJT是一种电流控制器件。三极管实现放大功能的条件：发射结正偏，集电结反偏3.BJT的V-I特性曲线特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线。（1）输入特性曲线iB=f(uBE)uCE=常数(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。3.BJT的V-I特性曲线（2）输出特性曲线iC=f(uCE)iB=常数输出特性曲线的三个区域:饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IBIC，UCE0.3V截止区：UBE死区电压IB=0，IC=ICEO0放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB三极管要实现放大作用，必须工作在放大区。4.BJT的主要参数共射极交流电流放大系数（1）电流放大系数α与β间的关系：4.BJT的主要参数（2）极间反向电流1）集电极—基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时，集电结的反向饱和电流。与单个PN结的反偏电流相同，T一定时为常数（取决于少子浓度）ICBO越小越好小功率硅管1A小功率锗管10A左右4.BJT的主要参数（2）极间反向电流2）集电极—发射极间的反向饱和电流ICEOICEO越小越好小功率硅管几微安以下小功率锗管几十微安以上三极管的温度特性较差。温度变化大的场合宜选用硅管。4.BJT的主要参数（3）极限参数1）集电极最大允许电流ICM——三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流2）集电极最大允许功率损耗PCMPCM=ICVCEPCM值与环境温度有关，温度愈高，则PCM值愈小。当超过此值时，管子性能将变坏或烧毁。4.BJT的主要参数（3）极限参数3）反向击穿电压V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。V(BR)EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO谢谢观赏