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第2章 光谱分析法导论;几个核心问题;*;一、电磁辐射的波动性;*;*;*;*;电磁辐射与物质的相互作用 interaction between electromagnetic radiation and matter;*;*;*;分子除外层电子能级外，每个电子能级还存在振动能级 ，每个振动能级还存在转动能级;*;*;*;*;*;?折射角r与两种介质的折射率有关，即：??????? 不同介质的折射率不同，同一介质对不同波长的光具有不同的折射率。波长越长，折射率越小，据此棱镜可以进行分光。;2、 反射  反射光和折射光的能量分配由介质的性质和入射角的大小来决定。 反射的分数随两种介质的折射率之差增加而增大。随入射角的增大而增大。 当光由空气（n为1.00029）通过玻璃（n约为1.5）时，在每一空气—玻璃界面约有4%的反射损失。这种反射损失在各种光学仪器，尤其在有数个界面的光学仪器中必须注意。 ???;（五）干涉和衍射;若以一束平行的单色光通过一狭缝AB时，可以在屏幕xy上看到或明或暗交替的衍射条纹。图中b为狭缝宽度。θ为衍射角。经聚光镜聚光在P0时相位不变，在P0处出现一明亮的中央明条纹（或称零级亮条纹）；经聚光镜聚光于P点时，各光波到达P点的相位不等。AP与BP的光程差AC应为： AC=bsinq ;*;光分析法的三个基本过程：;*;一、非光谱法;*;（一）基于原子、分子外层电子能级跃迁的光谱法;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;重难点;（二）基于分子转动、振动能级跃迁的光谱法，即红外吸收光谱法;*;*;*;（三）基于原子内层电子能级跃迁的光谱法，即X射线分析法;（四）基于原子核能级跃迁的光谱法;（五）基于Raman散射的光谱法;第四节 光谱法仪器;一、光谱分析仪器的原理和基本结构;（二）光谱分析仪器基本结构;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*; P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。 　　在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。 N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 　在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为是主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。 ;P-N结的形成。图5-7中的P型半导体和N型半导体通常称为P区和N区。由于P区存在大量空穴而N区存在大量自由电子，因而出现载流子浓度上的差别，于是产生扩散运动。扩散运动首先在交界面处进行，P区空穴向N区扩散。P区一边靠近界面处留下不可移动的带负电的硼离子，形成负空间电荷区。同时，N区中的自由电子向P区扩散，在N区的一边靠近交界面处留下不可移动的带正电的磷离子，形成正空间电荷区。这样在P区和N区的交界面两边形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就是P-N结。 ;P-N结加正向电压时导通，加反向电压时截止。这种特性就是P-N结的单向导电性??????????????????????????????????????;*; 光电二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时，每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位，起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴，空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时，又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。 ;*;*;*;*;热检测器;真空热电偶;测热辐射计;热释电检测器;检测器的性能和用途比较;*