02 第2章双极型晶体管和基本放大电路.ppt

第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路;思考：2-1 2-16 习题：2-4 2-7 2-8 2-10 2-12 2-14 2-17 2-19 2-24 2-25 ;本章的重点与难点;本章的重点与难点;2.1 双极型晶体三极管;2.1.1 双极型晶体三极管的结构及类型;;PNP型晶体三极管;１. 两个PN结无外加电压;IE;;1）发射区向基区注入电子;发射极电流: IE= IEN+ IEP≈ IEN 。 （多子形成的扩散电流） ;2）电子在基区的扩散与复合; 发射区的电子大部分通过基区往集电区（c区）扩散。（集电结电压反向，增强了少子的漂移，基区的少子是电子）; 由于集电结反偏，所以有少子形成的漂移电流ICBO。;晶体管的电流分配关系; 发射区发射的总电子数，绝大部分被集电区收集，极少部分在基区与空穴复合。; 可以看出，通过稍稍改变电流I?Ｂ，就可以使ICN有很大的变化，如此实现了电流控制和电流放大作用。;（2)实现电流控制的条件;４.共射接法中的电流关系; 晶体管工作在放大状态的外部条件是： ;1.共射接法晶体管的输入特性曲线;IB = 常数;IB = 常数;晶体管的三个工作区－截止区;晶体管的三个工作区－放大区;晶体管的三个工作区-饱和区 ; 在外电场的作用下，发射区的电子大部分通过基区往集电区（c区）扩散。; 晶体管的三个工作区域比较; 温度升高时，输入特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高1℃，|UBE|减小2~2.5mV。;１温度对ICEO 和ICBO的影响：;２.１.4 晶体三极管的主要参数;2.交流参数;（1）集电极最大允许 耗散功率 PCM PCM= IC ? UCE=常数 （ 决定于温升。T硅?150o、 T锗?70o性能明显变坏）; （3）极间反向击穿电压 如果加在PN结上反向偏置电压太高，PN结就会反向击穿。这些电压不仅取决于电路本身，还和电路连接方法有关。 U (BR) CEO ：基极开路时集电极－发射极的反向击穿电压。;２.１.５ 晶体管的类型及选用原则;３.晶体管的选用原则;NPN、PNP管在放大电路中外部条件比较 ;晶体管的应用举例;2.1.6 光电三极管（自学）;光电晶体管的输出特性曲线;晶体管的外观;2.2 放大的概念和放大电路的主要性能指标;对象：变化量 实质：能量的控制和转换 基本特征：功率放大 前提条件：不失真 测试信号：正弦波 能量控制器件：有源元件;2.放大电路的组成;要保证放大电路具有放大作用，必须满足如下条件：;放大电路示意图;输入为小信号时（测试信号为正弦波）;1）电压放大电路 ;输入量与输出量都是电流。;互导增益;（2）输入电阻Ri; 输入信号源是内阻很小的电压源时，要求输入电阻尽量大，以保证信号源电压损失尽可能小。;（3）输出电阻Ro; RO表明放大电路的带负载能力(指负载变化时输出电压的变化情况）。 RO越小，放大电路带电压负载的能力越强。 （ RO 小，RL变化时，UO变化小) ; 放大电路的输出量为电压，要求输出电压尽量不受负载变化影响，电路的输出电阻应尽量小。; Ri 、Ro是为描述电路在相互连接时彼此之间产生影响而引入的参数。;（4）通频带fbw （见第六章）;（1）非线性失真系数D（不考虑）;（2）最大不失真输出电压; 最大输出功率指在输出波形基本不失真的情况下，负载上能够获得的最大交流功率。;模拟电路中的符号;2.2.3 单管共射放大电路的工作原理;集电极电压;1. 晶体管放大电路的特点; 在直流电源作用下直流量经过的通路。;1.直流通路;2 .估算静态工作点;2 .估算静态工作点;例２-１　用估算法求图示电路的静态工作点;直流通路;３.图解法确定静态工作点Q （UCEQ 、ICQ）;;１.交流通路;交流通路;２.放大电路接入正弦信号(未接入负载电阻);２.放大电路接入正弦信号(未接入负载电阻);输出电压与输入电压的变化反相;3.电路中电流、电压波形;1）输出电压与输入电压为频率相同的正弦波， 但幅值增大，“线性放大”。;4. 交流负载线;交流负载线的斜率:;Q点合适且输入信号幅值较小时无波形失真.;晶体管截止而产生的失真为截止失真。;晶体管饱和而产生的失真为饱和失真。;电路参数对工作状态的影响;２.最大不失真输出电压幅值、有效值;(1) Q1→Q2：RC减少； ;