湖北汽车工业学院静电场1.doc

–  PAGE 166 – Ⅲ 基础物理实验 Ⅲ 基础物理实验 –  PAGE 165 – 实验20　用电流场摸拟静电场 T1023-9刘宇宇 模拟法本质上是用一种易于实现、便于测量的物理状态或过程模拟不易实现、不便测量的状态和过程，要求这两种状态或过程有一一对应的两组物理量，且满足相似的数学形式及边界条件。 一般情况，模拟可分为物理模拟和数学模拟，对一些物理场的研究主要采用物理模拟（物理模拟就是保持同一物理本质的模拟），例如用光测弹性模拟工件内部应力的分布等。数学模拟也是一种研究物理场的方法，它是把不同本质的物理现象或过程，用同一数学方程来描绘。对一个稳定的物理场，若它的微分方程和边界条件一旦确定，其解是唯一的。两个不同本质的物理场如果描述他们的微分方程和边界条件相同，则他们的解是一一对应的，只要对其中一种易于测量的场进行测绘，并得到结果，那么与它对应的另一个物理场的结果也就知道了。由于稳衡电流场易于实现测量，所以就用稳衡电流场来模拟与其具有相同数学形式的其他物理场。 我们还应明确，模拟法是试验和测量难以直接进行，尤其是在理论难以计算时，采用的一种方法，它在工程设计中有着广泛的应用。 本实验用稳衡电流场分别模拟长同轴圆行电缆的静电场、劈尖形电极和聚焦。平行导线形成的静电场以及飞机机翼周围的速度场。 一、实验目的： 1．学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理场。 2．描绘出分布曲线及场量的分布特点。 3．加深对各物理场概念的理解。 4．初步学会用模拟法测量和研究二位静电场。 二、实验仪器 GVZ-4型导电微晶静电场描绘仪 三、实验原理 1．模拟长同轴圆柱形电缆的静电场 稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场，但是他们两者在一定条件下具有相似的空间分图20-1 GVZ-4型导电微晶静电场描绘仪 布，即两种遵守规律在形式上相似，都可以引入电位U ,电场强度，都遵守高斯定理。 对于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系 对于稳恒电流场，电流密度矢量在无源区域内也满足类似的积分关系 由此可见和在各自区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相同的解析解。因此，我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。 在模拟的条件上，要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质均匀，在任何一个考察点，均应有”U稳恒=U静电”或”E稳恒=E静电”。下面具体讨论这种等效性。 （1）同轴电缆及其静电场分布 如图20-2(a) 所示，在真空中有一半径为ra的长圆柱体A 和一内半径为rb的场圆筒形导体B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理知，在垂直于轴线的任一截面S 内，都有均匀分布的辐射状电场线，这是一个与坐标Z 无关的二维场。在二维场中，电场强度E平行于XY平面,其等位面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究S 面上的电场分布即可。 图20-2 同轴电缆及其静电场分布 由静电场中的高斯定理可知，距轴线的距离为r 处（见图20-2b）的各点电场强度为 式中为柱面各单位长度的电荷量，其电位为 设时，,则有 代入上式，得 （2）同柱圆柱面电极间的电流分布 若上述圆柱形导体A 与圆筒形导体B之间充满了电导率为的不良导体， A、B与电源电流正负极相连接（见图20-3），A、B间将形成径向电流，建立稳恒电流场Er′，可以证明不良导体中的电场强度Er′与原真空中的静电场Er是相等的。 取厚度为t 的圆轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为()，则任意半径r到 r +dr 的圆周间的电阻是 则半径为r到rb之间的圆柱片的电阻为 图20-3 同轴电缆的模拟模型 总电阻为(半径ra到rb之间圆柱片的电阻) 设Ub=0,则两圆柱面间所加电压为Ua,径向电流为 距轴线r处的电位为 = 由以上分析可见，，=的分布函数完全相同。为什么这两种场的分布相同呢？我们可以从电荷产生场的观点加以分析。在导电介质中是没有电流通过的，其中任一体积元（宏观小，微观大，其内仍包含大量原子）内正负电荷数量相等，没有净电荷，呈电中性。当有电流通过时，单位时间内流入和流出该体积元内的正或负电荷相等。这就是说，真空中的静电场和有稳衡电流通过时导电介质中的场都是由电极上的电荷产生的。事实上，真空中电极上的电荷是不动的，在有电流通过的导电介质中，电极上的电荷一边流失，一边由电源补充，在动态平衡下保持电荷的数量不变。所以这两种情况下电场分布是相同的。 2．模拟飞机机翼周围的速度场 我们来讨论稳恒电流场和机翼周围的速度场具有相同的数学模拟，即它们可以由同一个微分方程来描述，并且具有相同的边界条件。 （1）无旋稳恒电流场 设在导电微晶中有稳恒电流分布，即电流密度不随时间而变化。按照散度的定义： ▽ 式中s 是闭