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复合理论
复合理论;净复合率：
复合率与产生率之差;间接复合;;1：导带上电子跃迁到复合中心Et上
相当于Et俘获电子
将rn记为电子的俘获系数;1;在平衡时，Et上的电子满足Fermi统计分布;复合后Et上的电子数与复合前一样，即1+4=2+3;寿命与Nt成反比，即Nt越大，寿命越短
小注入：
n型：
p型：
样品的寿命为：;硅中掺金
第I族元素金在硅中产生一个施主能级和一个受主能级
位于价带顶0.35eV的EtD
位于导带底0.54eV的EtA
在n型硅中受主能级起作用
在p型硅中施主能级起作用
无论在n型或者p型硅中，金都是有效的复合中心;硅中掺金：
金（深能级杂质）起复合中心的作用
它对电子和空穴的俘获系数分别为
n型Si：非平衡载流子的寿命为
p型Si：非平衡载流子的寿命为;Ei与Et的差值越大，cosh值越大，U越小;相对于复合中心而言，一共有4个微观过程;;Ex.8: 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小??入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程与它与空穴复合的过程具有相同的几率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心。;本征半导体：;n型：
p型：
本征：;表面效应;;过剩载流子的浓度：;表面复合;Exs.: 10,11,12;
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