模拟电子技术基础第三章二极管及其基本电路绪论.ppt

3.1 半导体的基本知识;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料;; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用;电子-空穴对; 3.1.4 杂质半导体; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;;; 3.2.3 PN结的单向导电性; (2) PN结加反向电压时; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; (3) PN结V-I 特性表达式; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.5 PN结的电容效应; (2) 势垒电容CB;3.3 二极管;3.3.1 二极管的结构;;; 3.3.3 二极管的主要参数; (1) 最大整流电流IF——; (4) 正向压降VF;半导体二极管图片;半导体二极管图片;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;;（2）恒压降模型;（4）小信号模型; 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻;2．模型分析法应用举例;;（2）静态工作情况分析;（3）限幅电路;; 例： 电路如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sin?t V，且Vm VD ，绘出相应的输出电压vO的波形。;;电路如图所示，求AO的电压值;;;;(5）小信号工作情况分析;例：;3.5 特殊二极管;3.5.1 齐纳二极管;(1) 稳定电压VZ;3. 稳压电路;例：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和10V，试求下列各图中的输出电压VO。已知硅稳压管的正向压降为0.7V。 解：（a）在图中，DZ1和DZ2工作在反向击穿区，因此VO的电压值 为：VO=V Z1+V Z2=5+10=15V； （b）在图中，DZ1和DZ2工作在正向导通区，因此VO的电压值为： VO=0.7+0.7=1.4V； （c）在图中，考虑到V Z1＜V Z2，DZ1反向击穿后V Z1=5V，此时DZ2处于截止状态，因此VO的电压值为：VO= V Z1=5V； （d）在图中，DZ2工作在正向导通区，DZ1处于截止状态，考虑因此VO的电压值为：VO= 0.7V。 ;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电子器件;2. 发光二极管;3. 激光二极管;4. 太阳能电池;第3章作业(P84)