半导体物理 部分 第三章(2015.10.28).ppt

* ⒉杂质饱和电离情况: 当温度升高使施主全部电离，所提供的ND个电子，除了填满NA个受主外,其余全部激发到导带，半导体进入饱和电离区（强电离区），本征激发可忽略。电中性条件: 费米能级在ED之下 由n0p0 ni2得出空穴浓度 在杂质饱和电离区，有补偿的N型半导体的载流子浓度和费米能级公式，同只含一种施主杂质的N型半导体对应的公式具有相同的形式,但用有效施主浓度ND-NA代替了ND． * ⒊过渡区（杂质饱和电离——本征激发） 当温度继续升高，是本征激发也成为载流子的重要来源时，半导体进入了过渡区，电中性条件为： 将上式与 联立，得到电子和空穴浓度为： 该形式与一种杂质半导体的过渡区载流子浓度公式相似，只不过把ND换为有效杂质浓度ND-NA而已。 * 此时的费米能级为： EF在施主能级ED之下，随着温度升高不断向Ei靠近。 ⒋高温本征激发区（本征区）： 当温度很高时，本征激发成为产生载流子的主要来源，半导体进入本征区，此时费米能级EF Ei。载流子浓度为： * 小结：求解热平衡半导体载流子浓度的思路： 一、对只含一种杂质的半导体： ⒈ 首先判断半导体所处的温度区域（四个）； 杂质弱电离区、饱和电离区、过渡区、本征区 ⒉ 写出电中性条件； ⒊ 利用该温度区域的载流子浓度计算公式求解。 二、含多种（不同）杂质的半导体： ⒈ 首先判断材料的导电类型及有效杂质浓度； ⒉ 判断半导体所处的温度区域（四个）； 杂质弱电离区、饱和电离区、过渡区、本征区 ⒊ 写出电中性条件； ⒋ 利用该温度区域的载流子浓度计算公式求解。 * 3.6 简并半导体 1.简并半导体 费米能级进入导带（或价带）的情况（重掺杂条件下） 一般情况下：ND Nc或者 ND－NA Nc, EF在Ec下 在ND≥Nc时：EF与Ec重合或在之上，进入导带 N型半导体处于饱和区 * 说明n型掺杂水平高，导带底附近的量子态基本上已被电子占据 导带中电子数目很多，f E 1不满足 玻耳兹曼分布不成立 考虑泡利不相容原理的作用 不能用玻耳兹曼分布，必须用费米分布 载流子的简并化 同理可以讨论价带 * 2.简并半导体载流子浓度 求解简并半导体的载流子浓度的思路和前面非简并半导体中载流子浓度的求解一样。 导带电子浓度 引入无量纲的变数 和简约费米能级 再利用Nc的表达式，导带电子浓度为 * 同理可得：价带空穴浓度 在非简并情况下，费米能级位于离开带边较远的禁带中，即 则： 其中的 称为费米积分。 * 费米积分 Ec EF时，n0值已有显著差别 3.简并化条件 * 以EF与Ec的相对位置区分， 并作为简并化与非简并化的条件 对P型半导体则以EF与EV的相对位置作为简并化条件。 当温度一定时，根据给定的简并化条件，可以计算半导体达到简并化时对掺杂浓度的要求。当掺杂浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象称为重掺杂。 * 以含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论杂质浓度为多少时发生简并？ ？ * 讨论 简并：ND必定是接近或者大于Nc；非简并ND Nc。 发生简并时的ND与△ED有关，△ED↓，则杂质浓度较小时就会发生简并。 将 代入上式，可知对一定△ED和ND，T有2个解T1、T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 即发生简并化有一个温度范围。 * ⒈低温载流子冻析效应 对含有杂质的半导体，当温度低于某一温度时，杂质只有部分电离，尚有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，这种现象成为低温载流子冻析效应。 当半导体中掺杂浓度较高时，低温下半导体可以处于简并状态。 3.6.3 低温载流子冻析效应 * 简并半导体的杂质能级 简并半导体是重掺杂 →单位体积内杂质原子数很多 →距离很近 →相邻杂质原子上的电子波函数将发生显著重迭 →束缚在杂质原子上的电子就可能在它们之间转移 →使孤立的杂质能级扩展为杂质能带 3.6.3 禁带变窄效应 * 杂质能带产生的影响： 杂质能带 简并半导体中杂质能级示意图 Ec Ev Eg’ ED Eg a b 杂质能带出现使 ，当杂质浓度很高时，杂质能带与导带相连 当杂质能带与导带底相连时，形成新的简并导带，它的尾部伸入到禁带中，结果使简并半导体的 ，禁带变窄效应 * 简并半导体在重掺杂时的禁带变窄效应 E g E 导带 价带 Eg 施主能级 非简并半导体 简并半导体 E g E 导带 价带 Eg 施主能级 Eg` * 半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态，其物理意义如何？ 载流子激发和载流子复合之间建立起动态平衡时称为热平衡状态，这时电子和空穴的浓度都保持一个稳定的数值，处在这中状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 2.什么是能量状态密度 能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 3. 什么叫统计分布函数，