讲义2.2光电检测器件的基本物理效应答案.pptVIP

第2节 光电检测器件的基本物理效应 基本物理效应包括 光电发射效应 光电导效应 光伏效应 热电效应 ;光电发射效应—是光与物质的作用发射光电子的现象 ;一、光电发射效应 若入射光辐射的光子能量hν足够大, 它和金属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸出, 在空间电场的作用下会形成电流, 这种现象称为光电发射效应, 也称为外光电效应. 它是真空光电器件光电阴极工作的物理基础;(一) 外光电效应的两个实验规律 光电特性 光电流与入射光通量的关系称为光电特性。 试验规律：当照射到阴极上的入射光频率或频谱成分不变时, 在外加电压一定的条件下, 光电流Ik (即单位时间内发射的光电子数目)与入射光通量Φ成正比 ;2. 域值频率 实验规律, 光电子的最大初始动能与入射光的频率成正比, 而与入射光强度无关, 可以表示为 ;上式说明：入射光子的能量至少要等于逸出功时, 才能发生光电发射。 νo=WΦ/h 为产生光电发射的最低频率, 即域值频率. νo与材料的属性有关, 与入射光强无关。; 上式也称为爱因斯坦方程, 爱因斯坦因发现光电效应于 1921 年获得诺贝尔物理学奖。 密立根因从实验中证明了上式, 即光电子初始动能与入射光频率之间的严格线性关系, 并由直线斜率获得普朗克常数而于1923 年获得诺贝尔物理学奖;域值波长 如果用波长表示, 则;(二)光电发射的基本过程 光电子发射大致分为三个步骤进行: 1) 对光子的吸收 2) 光电子向表面的运动 ;1) 对光子的吸收 光射入物体后, 物体中的电子吸收光子能量, 从基态跃迁到能量高于真空能级(真空中自由电荷的最小能量)的激发态。 2) 光电子向表面的运动 受激电子从受激地点出发向表面运动, 在此过程中因与其他电子或晶格发生碰撞而损失部分能量。 ;好的光电发射材料应该具备的几个基本条件 : 1)对光的吸收系数大, 以便较多的电子受到激发 2光电子由体内向表面运动过程中能量损失小, 使逸出深度大。 3)材料的逸出功要小 使到达真空界面的电子能够比较容易地逸出。 4)作为光电阴极, 其材料还要有一定的电导性 以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子. ;(三)金属的???电发射特点 1）吸收效率很低 由于金属反射掉大部分入射的可见光(反射系数达90% 以上), 因此吸收效率很低。 2）金属中光电子的逸出深度很小 由于光电子在金属中与大量的自由电子碰撞, 在运动中会散射损失很多能量。所以金属中光电子的逸出深度很小, 只有几个纳米(nm)。;3）金属材料的光电子发射效率很低 由于金属的逸出功大多大于3 eV, 对能量小于3eV (λ410 nm)的可见光来说，很难产生光电发射。 大部分金属材料的光谱响应都在紫外或者远紫外区, 只有铯(2eV, 615nm 逸出功)对可见光最灵敏，故可用于光电阴极。但纯金属铯的量子效率很低, 小于 0.1%, 因为在光电发射前两个阶段能量损耗太大。 ;电子逸出功 费米能级 金属的电子逸出功 WФ 定义为热力学温度 T=0 K时真空能级与费米能级 EF 之差, 即 ;(四)半导体材料的光电发射;为什么半导体不用逸出功的概念呢？ 半导体电子逸出功定义为真空能级与电子发射中心的能级之差, 因为电子发射中心的能级有时在价带顶, 有时是杂质能级, 有时在导带底, 情况复杂。 ;能量域值 半导体材料光电发射的能量域值, 按真空能级与价带顶之差(亲和势 EA 加上禁带宽度 Eg)来计算, 即; 半导体无边界时, 能带结构是平直的； 有边界时表面处破坏了晶格排列的周期性而且表面易氧化或被杂质污染, 因而在禁带中表现为附加的表面能级； 由于表面能级的存在, 在表面处引起能带弯曲, 表面能带弯曲对体内的光电子发射有明显的影响. ;光电阴极 光电阴极 实用的光电阴极可以按照电子亲合势的数值分为常规光电阴极和负电子亲和势阴极两大类。 常规光电阴极是沿用已久的光电阴极材料, 其电子亲和势 EA0, 负电子亲和势材料是近期出现的新型材料, 其电子亲和势 EA0 ;常规光电阴极 常用于真空光电器件中。根据国际电子工业协会规定, 按照光电阴极材料出现的先后顺序以及窗口材料的种类, 以S 为字头进行编号排成序列, 从 S-1 到 S-25 有 25 个 编号。;;(五) 负电子亲和势(NEA)光电阴极 电子亲和势 是半导体导带底部到真空能级间的能量值, 它表征材料在发生光电效应时, 电子逸出材料的难易程度。 如果电子亲和势为零或负值, 则意味着电子处于随时可以脱离的状