电子科大薄膜物理(赵晓辉)第四章 化学气相沉积.ppt

第四章 CVD/化学气相沉积;主要内容;1. Introduction;化学气相沉积/Chemical Vapor Deposition，简称CVD，是把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物或单质气体供给基片，借助气相作用或在基片上的化学反应生成所需薄膜。 ;1) gas decomposition/气体分解 (1) 热分解 (2) 等离子体分解 (3) 光 (激光，紫外) 分解 2) 类型－根据不同温度，压力， … CVD chemical vapor deposition APCVD atmospheric pressure... LPCVD low-pressure... VLPCVD very low pressure… PECVD plasma-enhanced... LECVD laser-enhanced... MOCVD metal-organic... ECRCVD electron-cyclotron resonance... VPE vapor-phase epitaxy ;3) 优点 低成本介电( 多晶硅, Si3N4, SiO2 )和金属薄膜 沉积速率快 高压或低压 厚度，缺陷和电阻控制 薄膜质量好 适合半导体, ex., Si3N4, SiO2 and 外延层 辐照损伤低 但是沉积温度高！;4) 影响薄膜结构的因素 (1) 基板或腔体的温度 (2) 生长速率 (3) 气压 这些因素影响了原子在表面的迁移速率。 ;;APCVD;LPCVD;PECVD; ???????????????????????????????????????????????????????? 并非所有组成部分都有。 气源在基板表面反应，沉积生成薄膜。; Pyrolysis/热分解 (thermal decomposition) AB(g) --- A(s) + B(g) ex: Si 沉积 @ 650oC SiH4(g) --- Si(s) + 2H2(g) 适用于 Al, Ti, Pb, Mo, Fe, Ni, B, Zr, C, Si, Ge, SiO2, Al2O3, MnO2, BN, Si3N4, GaN, Si1-xGex, . . . ;Reduction/还原和Exchange/置换 一般用H2 AX(g) + H2(g) === A(s) + HX(g) 温度比热分解低 过程可逆 = 也可用于清洁 ex: W 沉积@ 300oC WF6(g) + 3H2(g) === W(s) + 6HF(g) 适用于Al, Ti, Sn, Ta, Nb, Cr, Mo, Fe, B, Si, Ge, TaB, TiB2, SiO2, BP, Nb3Ge, Si1-xGex, . . . ;Oxidation/Nitrition－ 氧化/氮化 采用O2 /N2 AX(g) + O2(g) --- AO(s) + [O]X(g) ex: SiO2 沉积 @ 450oC (温度比热氧化要低) SiH4(g) + O2(g) --- SiO2(s) + 2H2(g) 适用于Al2O3, TiO2, Ta2O5, SnO2, ZnO, . . . ;Compound formation 常采用氨水或水蒸气 AX(g) + NH3(g) --- AN(s) + HX(g) AX(g) + H2O(g) --- AO(s) + HX(g) ex: 耐磨涂层沉积(BN) @1100oC BF3(g) + NH3(g) --- BN(s) + 3HF(g) 适用于TiN, TaN, AlN, SiC, Al2O3, In2O3, SnO2, SiO2, . . . ;Disproportionation/歧化反应 化合物包含多种价态的成分 2AB(g) === A(s) + AB2(g) ex: ??????????????????????????????????????????????????????????? 适用于Al, C, Ge, Si, III-V compounds, . . .;Reversible Transfer/可逆输运 ?????????????????????????????????????????????????????? 适用于 GaInAs, AlGaAs, InP, FeSi2, . . . ;反应如何进行?;Thermodynamics and kinetics;*;3. 反应定律;3.2 CVD 过程;CVD 源 源类型/ gasses (最简单) volatile liquids/易挥发液体 sublimable solids/ 可升华固体