电力电子半导体器件(MOSFET)浅析.ppt

第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET);§5.1 结构与工作原理;２.P沟道MOSFET：空穴导电 分类：增强型，耗尽型;;（一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术；;2．VDMOSFET：垂直导电的双扩散MOS结构;（二）多元集成结构 将成千上万个单元MOSFET（单元胞）并联连接形成。 特点： ①降低通态电阻，有利于电流提高。 多元集成结构使每个MOSFET单元沟道长度大大缩短，并联后，沟道电阻大大减小，对提高电流大为有利。 如：IRF150N沟道MOSFET，通态电阻0.045Ω ②提高工作频率，改善器件性能。 多元集成结构使沟道缩短，减小载流子渡越时间，并联结构，允许很多载流子同时渡越，开通时间大大缩短，ns级。;§5.2 MOSFET特性与参数;2．饱和特性：MOSFET饱和导通特性;3．转移特性：ID与VGS关系曲线 定义：跨导gm，表示MOSFET的放大能力，提高宽/长比，可 增大gm。;4．静态参数： ①通态电阻Ron： 定义：在规定VGS下，MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直 流电阻。它决定管子发热，影响输出功率，通态压降。 Ron组成：;Ron与器件耐压、温度关系：;②开启电压VT：阈值电压 反型层建立所需最低栅源电压。 定义：工业上，在漏源短接条件下，ID=1mA时的栅极电压。 VT随结温Tj变化，呈负温度系数，Tj每增高45OC，VT下降10%， -6.7mV/OC。 ③漏极击穿电压BVDS： 功率MOSFET的最高工作电压，使用时留有余量；加吸收回路限制。具有正温度系数，Tj升高100OC， BVDS增大10%。 ④栅源击穿电压BVGS： 一般+20V，由于SiO2层极薄，VGS过高会发生介电击穿。 ⑤最大漏极电流IDM：受沟道宽度限制，使用时留有余量。 ;二、动态特性与参数 1．开关过程与开关时间： MOSFET为单极型器件，多数载流子导电，本身电阻效应和渡越效应对开关过程影响很小，开关速度很高，ns级（典型值20 ns）;2．极间电容：CGS，CGD，CDS;3．影响开关时间的因素： ①极间电容； ②寄生电感； ③VDS电压； ④ID电流； ⑤ 驱动源参数（内阻）;4．dv/dt对MOSFET动态性能影响 ①静态dv/dt：会引起MOSFET栅极电压变???，导致错误开通。在栅源间并联电阻，可防止误开通。;③二极管恢复期dv/dt：在MOSFET使用中，二极管发生续流过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。;三、安全工作区 功率MOSFET无二次击穿，安全工作区较宽，但通态电阻Ron较大，在低压时，不仅受最大电流限制，同时受功耗限制。 1．正向偏置安全工作区（FBSOA）;2．开关安全工作区（SSOA）;1）功率MOSFET反向恢复电荷与各因素的关系：;2）定义：CSOA为功率MOSFET寄生二极管反向恢复性能所 决定的极限工作范围。 表示：在换向速度di/dt一定时，用漏极正向电压（二极管反向 电压）和二极管正向电流的安全运行极限值表示。;影响换向速度di/dt的主要原因是：引线电感和二极管反向电压 如：电源电压50V，线路杂散电感100nH，则：;②结温影响 Tj升高，CSOA曲线缩小。 ③电路引线电感影响 引线电感在二极管反向恢复时会产生反电动势，使器件承受很高的峰值电压。二极管换向速度越快，引线电感越大，峰值电压越高，对COSA要求更苛刻，应尽量减小引线电感。;四、温度稳定性：较GTR好 gm -0.2%/oC Ron 正温度系数，0.4~0.8%/oC ，并联可自然均流。 五、典型参数;六、MOSFET与GTR比较;§5.3 栅极驱动和保护;2．驱动特性 MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。 ①开通驱动特性;②关断驱动特性：;二、栅极驱动电路 （一）驱动电流选择： 不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大，开通关断驱动电流也越大。 1．开通驱动电流： ;（二）驱动电路 1．直接驱动电路：TT