第02章半导体中的杂质和缺陷--2015.09.21资料.ppt

《半导体物理》;实际半导体晶格偏离理想情况;杂质和缺陷;本章重点： 施主杂质，受主杂质 施主能级，受主能级 N型半导体，P型半导体 本征激发，杂质电离（杂质激发） 杂质电离能 杂质补偿 浅能级杂质，深能级杂质;杂质：半导体中存在的与本体元素不同的 其它元素。;Si;Si;杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。;缺陷;B;正电中心;类氢模型：;第00章 绪论;施主杂质:;第00章 绪论;设 施主杂质能级为ED;对氢原子;对于Si、Ge掺P;施主杂质的电离能小， 在常温下基本上电离。;;（1）在 Si 中掺入 B;受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带Ev成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。;第00章 绪论;;;杂质电离或杂质激发： 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。 ; 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。 称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 ;;;(3) ND≈NA;(2) 间隙;1. Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质和缺陷;●施主杂质 ;●受主杂质 ;●中性杂质 ;● 两性杂质 ;在掺 Si 浓度小于 1×1018 cm-3 时，Si 全部取代 Ga 位而起施主作用，这时掺 Si 浓度和电子浓度一致； 而在掺 Si 浓度大于 1018 cm-3 时，部分 Si 原子开始取代 As 位，出现补偿作用，使电子浓度逐渐偏低。;（2）GaAs 晶体中的点缺陷;化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。; 实际晶体中，由于各种缺陷形成时所需要的能量不同，他们浓度会有很大差别。 ; （2）Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体中的缺陷;a.负离子空位;b.负离子填隙;c.正离子空位;d.正离子填隙;负离子空位;Ec;Ec;Ec;Ec;?深能级一般作为复合中心 ?对载流子和导电类型影响较小;第二章 小结;VI族（Se, S, Te）－施主杂质 II族（Zn, Be, Mg, Hg）－受主 III族（B, Al, In）－中性杂质 IV族（Si, Ge, Sn, Pb）－两性杂质;1.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施???杂质电离过程和n型半导体。 2.以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。