第4_5章场效应管2013资料.ppt

4.5 场效应管（单极型晶体管）;4.5.1 结型场效应管 ; JFET的基本控制原理;2. JFET的工作原理;② 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS=0);③ UGS和UDS共同作用下的导电沟道;输入 信号作用下FET的控制原理;二. 结型场效应管的特性曲线 ;1. 输出特性 ;预夹断线;2. 可变电阻区 条件 ： UGS UGSoff UDS UGS－UGSoff ; 条件： UGS ≤UGSoff UDS ≥UGS－UGSoff ;二.转移特性 ;式中：IDSS为饱和漏电流，表示uGS=0时的iD值； UGSoff为夹断电压。; 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor)，故又简称为MOSFET。; MOS管类型及符号;2 N沟道增强型MOS管; 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGSUGSth);N沟道增强MOS管的伏安特性曲线; 2). 转移特性 ;ENMOSFET的定量关系式 (1). 恒流区; 式中: μn——沟道电??运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； L——沟道长度； W/L——MOS管的宽长比。;(2). 可变电阻区：;3. N沟道耗尽型MOS管(NDMOS);漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS=0); N沟道耗尽MOS管的伏安特性曲线;UDS UGS - UGSoff;4 各种类型的FET特性对比; 2. 转移特性 ;场效应管的参数及特点; 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在108 ~ 1012Ω之间。 对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。 通常认为RGS →∞。;对JFET和耗尽型MOS管，由于;而对增强型MOSFET，因为; 三.极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1). 栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2). 漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3). 最大功耗PDM：PDM=ID·UDS;一.方波、锯齿波发生器 ;二.取样保持电路 ;三.相敏检波电路 ;　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量。; 作业 4-17, 4-24， 4-25