第五章 晶圆制备.pptVIP

第五章 晶圆制备; 5.2衬底材料的要求 a.导电类型：P或N b.电阻率：0.001—100000Ω·cm c.寿命：一般要求几到几千微秒 d.晶格完整性 e.纯度高：一般常说的9个9，微量杂质对半导体材 料的性能影响很大。微量杂质主要有受主、施主、 重金属、碱金属及非金属等。 ; f.晶向: ＜111＞、＜110＞及100等，对于 双极硅器件，一般要求＜111＞晶 向，MOS硅器件为100晶向，砷化 镓为100晶向。 g.要求一定的直径和均匀性，并给出主次 定位面 此外，禁带宽度要适中，迁移率要高，杂 质补偿度低，等等。 ;5.3 半导体硅制备 制造IC级的硅晶圆分4个阶段进行： a.矿石到高纯气体的转变 b.气体到多晶的转变 c.多晶到单晶，掺杂晶棒的转变 d.晶棒到晶圆的制备 ;半导体级硅：用来制作芯片的高纯硅（SGS），纯度达到99.9999999%，是地球上最纯的物质之一。有一种称为多晶或多晶硅的晶体结构。 制造SGS过程： 用碳加热硅石来制备冶金级硅 ;2.通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷;3.利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产SGS;西门子反应器 三氯硅烷和氢气被注入到西门子反应器中，然后在加热的超纯硅棒上进行化学反应（硅棒温度为1100℃），几天后工艺结束，将淀积的SGS棒切成用于晶体生长的小片。 ;3.4晶体材料 晶体：原子在整个材料里重复排列成非常固定的结 构;非晶体或无定形结构：原子没有固定的周期性排列 的材料;3.4.1晶胞 在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞。 晶胞在三维结构中是最简单的由原子组成的重复单元，它给出了晶体结构。 晶胞有一个框架结构，像一个立方体。与硅技术相关的晶体结构是立方结构，这里是考虑面心立方结构。 在一个晶体结构中，晶胞紧密地排列，因此存在共有原子。;在晶胞里原子的数量、相对位置及原子间的结合能会引起材料的许多特性。 如果晶胞移动了整数倍的矢量，可以找到一个与原来完全一样的新的晶胞。 每个晶体材料具有独一无二的晶胞。 晶胞的重要性在于晶???作为一个整体可以通过分析一个具有代表性的单元来研究。 ;硅晶胞原子排列具有金刚石结构;;砷化镓晶体的晶胞结构称为闪锌矿结构 ;晶格：在晶体中原子的周期重复性的排列，晶体材料具有特定的晶格结构，并且原子位于晶格结构的特定点。晶格总是包含一个能代表整个晶格结构的单元—晶胞。;3.4.2 多晶和单晶 多晶：晶胞间不是规则排列的;单晶：晶胞间整洁而规则地排列;3.4.3晶体定向 晶向决定了在硅片中晶体结构的物理排列是怎样的，不同晶向的硅片的化学、电学和机械性质都不一样。;密勒指数：晶面通过一系列密勒指数的三个数字组合来表示。 在密勒系统符号里，小括号（）用来表示特殊平面，尖括号表示对应的方向，符号是由平面与坐标轴交点而定的。 如果晶体是单晶结构，那么所有的晶胞都会沿着这个坐标轴重复排列。;3.5 晶体生长 半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。 这种半导体材料叫做晶棒，是从大块的具有多 晶结构和未掺杂的本征材料生长得来的。 把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定 向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。 有三种不同的生长方法：直拉法 、区熔法 和 液体掩盖直拉法.;3.5.1 直拉法 大部分的单晶都是通过直拉法生长的。生产过程如图所示。 ;;3.5.2 液体掩盖直拉法 此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。故得其名，如图所示。;;;;特点 直拉法的目的是实现均匀掺杂浓度的同时精确地复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中。 优点：工艺成熟，便于控制晶体外形和电学参数，能成功地拉制低位错、大直径的硅单晶，尤其制备10-4Ω?cm特殊低阻单晶。; 缺点：难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染，因而只能生产低阻单晶。另外，由于存在杂质分凝效应和蒸发效应，以及搅拌不均匀所形成的界面杂质积累层等，还会使拉制的硅单晶沿轴向的电阻率不一致，杂质缺陷较多。 ; 另外，由于应用了石英坩埚（SiO2），从而在硅单晶中引入了氧。氧含量的典型值为0.2~2*1018cm-3以上。当单晶生长过程中经300—600 ℃温度范围的退火时，氧将获得电活性，