半导体材料物理Chapter5额外载流子资料.pptxVIP

Chapterⅴ：非平衡载流子;;非平衡载流子： 对半导体施加外界作用，可使其处于非平衡状态，此时比平衡态多出来的载流子称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。 n型半导体，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子： n p 对于P型材料则相反。;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;小注入：如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的 浓度，则称为小注入。 小注入判据： n型半导体Δp n0； p型半导体Δn p0 例如：在室温下， N型硅，ρ=1Ω?cm n0=5.5×1015cm-3；p0= 3.1×104cm-3 注入非平衡载流子Δn=Δp=1010cm-3 则Δp n0；但Δp p0 由此说明，即使在小注入情况下，虽然多子浓度变化很小，可以 忽略。但非平衡少子浓度还是比平衡少子浓度大很多，因而它的 影响是十分重要。非平衡少子起着主要作用。;电导调制效应：注入的非平衡载流子可以引起半导体的电导率由平衡值σ0增加为σ0+Δσ，附加电导率Δσ可表示为：;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种驰豫过程此过程。载流子的复合率S大于产生率G ，有净复合。 载流子的产生率G：