2.4 晶体缺陷和固溶体.ppt

*;*;晶体缺陷对晶体的力学性能，以及光、电、磁、晶体的生长有重要的影响。如缺陷对力学性能既有有利的方面，也有不利的方面。 例1：工业上通常应用的多晶体材料通过增加缺陷数目以提高材料的机械性能。比如加入合金元素形成固溶体，可产生固溶强化，提高强度---点缺陷；金属经过冷加工变形提高强度---线缺陷，即位错数目来实现的；金属通过细化晶粒增加面缺陷数目来提高强度。 例2：在半导体材料中进行掺杂，形成空穴，可以极大地提高半导体材料的导电性能 例3：位错等缺陷的存在，应力集中处，使材料易于断裂。 例4：日常生活中，包装袋锯齿形。;*;*; 按点缺陷对理想晶格偏离的几何位置（结点或空隙）及成分分类;点缺陷种类;*;*;*;*;*;*;热缺陷的形成： 与晶体所处的温度有关，温度越高，原子离平衡位置的机会越大，形成的点缺陷就越多。 与原子在晶格中受到的束缚力有关，束缚力越小，原子挣脱束缚的机会就越大;杂质的来源： 有目的地引入的杂质 例如单晶硅中掺入微量的B、Pb、Ga、In、P、As等 晶体生长过程中引入的杂质，如O、N、C等 置换式和间隙式杂质(形成取决于原子尺寸和电负性): 杂质和基质的原子尺寸和电负性相近时形成置换式杂质缺陷（否则引起晶格畸变，内能增加较大） 半径较小的杂质原子可进入间隙位置形成间隙式杂质缺陷;化学计量化合物：化合物分子式一般具有固定的正负离子比，其比值不会随着外界条件而变化，此类化合物的组成符合定比定律。例如CO 非化学计量化合物---化合物的组成不符合定比定律，负离子与正离子的比例并不是一个简单的固定的比例关系，如TiO2-x、ZrO2-x。 某些化合物的化学组成在外界条件如所接触气体的性质和压力大小的影响下而偏离化学计量组成，这种由组成上的非化学计量造成的空位、间隙原子以及电荷转移，会使晶体的完整性受到破坏产生缺陷，称为非化学计量缺陷。 非计量缺陷的形成，关键是其中的离子能够通过自身的变价来保持电中性。 例如，TiO2晶体在周围氧气压力较低时，在晶体中会出现氧空位（负离子空位），此时部分Ti4+变价成Ti3+使正负电荷得到平衡。;下标表示缺陷位置； 间隙位用下标i表示，M位置的用下标M表示，X位置的用下标X表示； 上标表示缺陷有效电荷。 正电荷用“?”（小圆点）表示，负电荷用“’ ”（小撇）表示， 零电荷用“×”表示（可省略）。（缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷）;Mi表示间隙位置填入正离子 LM表示杂质离子置换正离子 MX表示正离子错位进入负离子位置 VM表示正离子离开原来位置而形成的空位 自由电子和电子空穴属于电子缺陷，分别表示为e和h˙;【例】NaCl晶体中可能出现的点缺陷：;2.4.1.5 缺陷反应方程式简介（了解） ;【例】TiO2中的几个缺陷反应： ;;2.4.1.6 点缺陷对材料性能的影响 ;*;Chapter2, Chemistry of Materials 2005, ceszzh@zsu.edu.cn; 彩色电视荧光屏中的蓝色发光粉的主要原料是硫化锌 (ZnS) 。在硫化锌晶体中掺入约 0.0001% AgCl，Ag+ 和 Cl? 分别占据硫化锌晶体中 Zn2+ 和 S2? 的位置，形成晶格缺陷，破坏了晶体的周期性结构，使得杂质原子周围的电子能级与基体不同。这种掺杂的硫化锌晶体在阴极射线的激发下可以发出波长为 450 nm 的荧光。;*;*;刃型位错的滑移;柏格斯矢量（b）  Burger’s vector;柏格斯矢量的物理意义;*;*; 刃型位错的几何特征： (1) 有多余半原子面。 习惯上，把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错，用符号“┻”表示，反之为负刃型位错，用“┳”表示。 ;*;(3) 滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，在其他面上不能滑移。 在刃型位错中，由于位错线与滑移矢量互相垂直，因此，由它们所构成的平面只有一个。 (4) 晶体中存在刃型位错之后，位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变。 就正刃型位错而言，滑移面上方位错线周围原子拥挤受到压应力，原子间距小于正常晶格间距;下方位错线周围原子稀疏受到拉应力,原子间距大于正常晶格间距；负刃型位错与此相反。 (5) 在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的平均能量。 位错在晶体中引起的畸变在位错线中心处最大，随着离位错中心距离的增大，晶体的畸变逐渐减小。但该区只有几个原子间距宽，畸变区是狭长的管道，所以刃型位错是线缺陷。;*;*;*;位错线两侧的上下两层原子按顺时针方向依次连接形成了一个螺旋线。每旋转一周，原子面就沿滑移方向前进一个原子间距，垂直于位错线的一组原来是平行的晶面