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计算机硬件技术基础;第三章 存储器;作用: 存储程序和被处理的数据以及运算的结果。 1、主存、辅存、高速缓存 按存储器在微机中的不同地位，可以分为： 主存：或称内存，它用来存放当前正在使用的或经常要使用的程序和数据，CPU可以直接对其进行访问。程序只有被放入内存，才能被CPU执行。 辅存：或称外存，它用来永久存放各种信息。 高速缓冲存储器：介于CPU与主存之间的容量更小、而速度更快的存储器。;2、多级存储结构 多级存储结构的形成: CPU不断的访问存储器，存储器的存取速度将直接影响计算机的工作效率。 在某一段时间内，CPU只运行存储器中部分程序和访问部分数据，其中大部分是暂时不用的。;3.1 存储器概述;3、计量单位 位：一个cell，记做bit 字节：8bit，记做Byte，简写B 1KB=1024B 1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024GB 1PB=1024TB …… ;+;按存储介质（纪录0、1信息的物质）分类;在存储数据之前， 磁表面上的颗粒磁向是随机的;光存储器：使用激光在存储介质表面上烧蚀出数据。烧蚀在介质表面微小的凸凹模式表示了数据。光学介质上的数据可以永久保存。但是，使用光学介质不像使用磁介质那样可以容易地改变它存储的数据。光驱使用激光从光盘上读数据。 ;当烧灼光盘时，激 光将反射层上刻出 凹坑。这些凹坑是 黑色的，不能反射 激光;按存取方式分类：; RAM随机存储器包含两重含义: 1. 对存储器的访问是随机的，即能以任意的顺序访问一存储单元。 2. 存储器可读可写。 RAM主要用于主存储器和高速缓冲存储器。;MOS型示意图 （MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管）;MOS（金属氧化物半导体）——一种集成电路技术，在金属门电极和半导体通道之间采用二氧化硅作为绝缘层来制作场效应晶体管(FET)。 MOSFET: Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; ROM只读存贮器 CPU正常操作时，只能读取ROM中的内容，但对它的访问也是随机的。 一般在ROM中存放固定的程序和数据，如计算机系统的引导程序、监控程序、基本输入输出（BIOS）程序等，使计算机能够开机运行。 计算机系统在加电以后，马上就运行ROM中的引导程序，将复杂的系统程序从辅存中引入主存。;掩模ROM、PROM、EPROM、 E2PROM 掩模ROM是由厂家按用户要求制作的，制成后，只能读不能改写； PROM称为可编程的只读存储器， PROM允许用户写一次，写完后就无法再改动，应用于高速计算机的微程序存储器； EPROM称为可擦写的只读存储器， EPROM允许用户将写入的内容整个擦除掉，擦掉后还可以重写，这样可以反复多次。最后一次写成后仍是一个只读存储器； E2PROM称为可在线擦写只读存储器，它和RAM的读、写方式完全类似，只是写操作时，需等待E2PROM内部操作完成后再写入下一个字节，常用作计算机的BIOS芯片。;3.2 存储器芯片;CPU访问存储器时，通常都通过地址寄存器MAR和存储器缓冲寄存器MBR进行。 当CPU需要从某一存储单元中读取数据时，首先将该单元地址送入MAR，并向存储器发读控制信号。存储器此时开始进行读操作，将MAR经过地址译码器选中的存储单元中的内容经读写驱动器送入MBR，CPU通过数据总线将数据读入。 当CPU要向某单元中写入信息时，首先将该单元的地址送入MAR，要写入的数据送入MBR。然后通过控制信号线发出写信号，将MBR的内容写入由MAR经地址译码器选中的存储单元。;1、存储容量 存储器能够存放信息的总数量，以字节为单位。CPU地址总线的位数决定可支持的主存储器的最大容量。 2、存取速度 常用存取时间和存储周期表示.指访问一次存储器所需要的时间。最快存取周期可达10ns以下。 3、价格 性能价格比常以每位价格来描述。;1、地址线(A19~A0) 用来输入选择存储器中一个存储单元的地址信号。 2、数据线(D7~D0) 用来存取数据，一个存储单元存放8位数据。 3、控制线 ROM:芯片允许CE,输出允许OE. RAM:芯片允许CE,输出允许OE，写允许WR.;3.2.5 主存储器芯片的外特性;操作系统读取文件和删除文件的过程： 如果你想读取文件，操作系统通过目录找到文件名和包含文件数据的首簇编号。FAT表给出了哪些簇包含了该文件的数据。操作系统将磁头移动到文件首簇的位置，读出数据。 当你删除一个文件的时候，操作系统改变FAT表中相应簇的状态