第一章半导体二级管及应用电路精编.doc

第一章 半导体二级管及应用电路 知识教学目标： 1. 理解并掌握半导体的基本知识。 2. 理解PN结的工作原理和其单向导电性。 3. 二极管的伏安特性。 4. 掌握二极管的三种电路模型及其使用条件。 能力培养目标： 1.会分析二极管典型应用电路。 2.会识别各类二极管，熟悉半导体二极管的应用。 章节导入：各种电子设备的主要组成部分是电子线路，而电子线路的核心是半导体器件，如半导体二极管（简称二极管）、晶体管（通常称为三极管）、场效应管和集成电路。半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，由于它具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等优点而得到广泛应用。?由于二极管是各种半导体器件及其应用电路的基础，因此本章首先讨论二极管的基本特性及其基本应用电路。 第一节 半导体基础知识 自然界中的各种物质按其导电性能的不同可划分为：导体、半导体和绝缘体。导电能力介于导体和绝缘体之间,其导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，这一类物质我们称为半导体。 最常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge）两种元素半导体，它们都是+4价元素.硅的热稳定性比锗好. 半导体的真正应用价值并不在于其导电能力与导体或绝缘体在数值上的差异（如电阻率的大小等），最主要的是它具有如下独特性质。? 半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 一、本征半导体 （一）本征半导体? 本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体晶体，如图1-1a所示。? ???????? 在热力学温度为0K（即-273.15℃）时，本征半导体中的价电子不能挣脱共价键的束缚，不能自由移动。此时，本征半导体是不能导电的。当温度升高或受光照射时，价电子以热运动的形式不断地从外界获取能量，少数价电子获得足够大的能量从而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，如图1-1b（B处）所示，这种现象称为本征激发。? （二）两种载流子? 当价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，就同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴。空穴是一种带正电荷的载流子，其电量与电子电量相等。如图1-1b所示，其中A处为空穴，B处为自由电子。显然，自由电子和空穴是成对出现的，所以称为电子空穴对。? 可见，在本征半导体中存在两种载流子，带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。金属导体中只有一种载流子，即自由电子，这是二者的一个重要区别。但由于本征激发产生的电子空穴对的数目很少，载流子浓度很低，因此本征半导体的导电能力仍然很弱。? 在本征激发产生电子空穴对的同时，自由电子在运动中因能量的损失有可能和空穴相遇，重新被共价键束缚起来，电子空穴对消失，这种现象称为“复合”。显然，在一定的温度下，激发和复合都在不停地进行，但最终将达到动态平衡。换言之，在一定的温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。? 综上所述，一方面本征半导体中载流子的浓度很低，故导电性能很差；另一方面载流子的浓度与环境温度有关，则其导电性能受环境温度影响。半导体材料对温度的敏感性既可以用来制作热敏器件，又是造成半导体器件热稳定性差的原因。? 二、?杂质半导体? 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入微量合适的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著改变，形成杂质半导体。根据掺入杂质的化合价不同，可分为N型半导体和P型半导体。? （一）N型半导体? 在纯净的硅（或锗）晶体中掺入微量的5价磷元素，就形成了N型半导体。杂质磷原子有5个价电子，它以4个价电子与周围的硅原子形成共价键，多余的一个价电子处于共价键之外，很容易成为自由电子，而磷原子本身因失去电子变成带正电荷的离子，如图1-2所示。? 由于这种杂质原子可以提供自由电子，因此称为施主杂质。通常，掺杂所产生的自由电子浓度远大于本征激发所产生的自由电子或空穴的浓度，所以杂质半导体的导电性能远超过本征半导体。? 显然，在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，所以称自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）。多子的浓度取决于所掺杂质的浓度，而少子是由本征激发产生的，因此它的浓度与温度或光照密切相关。? （二）P型半导体? 在纯净的硅（或锗）晶体中掺入微量的3价硼元素，就形成了P型半导体。由于硼原子只有3个价电子，它与周围的硅原子形成共价键时，因缺少一个电子而产生一个空位（即空穴）。在室温下它很容易吸引邻近硅原子的价电子来填补，于是杂质硼原子变为带负