第十四章MS接触和肖特基二极管精编.pptVIP

第七章 金属-半导体的接触;7.1 金属和半导体接触及其能带图;真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需最小能量 功函数：从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和势：从导带底到真空能级的能量差;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图;;qVD ;7.1 金属和半导体接触及其能带图; 例1： 金属W与n型半导体Si 接触，Si的掺杂浓度ND=1016cm-3,温度T=300K，求： （1）肖特基势垒高度 （2）半导体内的内建电势 解：(1) W的功函数：Wm=4.55eV, Si: ?=4.05eV ?ns=Wm- ?=4.55-4.05=0.50eV (2) qVD=Wm-Ws= ?ns- En ;外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。 金属一边的势垒不随外加电压而变，即?ns不变 半导体一边，加正偏，势垒降低为VD-VA 反???势垒变高为：VD+VR;正偏;反偏;肖特基二极管;WmWs，欧姆接触 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒， VA0, 就会有很大的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，反偏 电压VR大于零点几伏，势垒就会变为0，在相对 较小的反偏电压下，会有很大的电流。且电流 不饱和 结论：WmWs形成欧姆接触 实际要形成欧姆接触时，要求半导体重掺杂，使空间电荷层很薄，发生隧道穿透。;欧姆接触能带图;整流接触;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图; 例2：受主浓度为NA=1017cm-3的p型Ge, 室温下的功函数是多少？若不考虑界面态的影响，它与Al接触时形成整流接触还是欧姆接触？如果是整流接触，求肖特基势垒的高度;;三、 界面态对势垒高度的影响;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图;外加偏压对两种MS结构的影响;外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。 金属一边的势垒不随外加电压而变，半导体一边，加正偏，势垒降低，反偏势垒变高。; WMWs，整流接触 正偏，半导体势垒高度变低，电子从S注入M，形成净电流I，I随VA的增加而增加。 反偏：势垒升高，阻止电子从S向金属流动，金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动，但这一反向电流很小。 结论： WMWs时，理想的MS接触类似于pn结二极管、 具有整流特性;平衡态能带图;3. I-V特性; Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。;;;;;;;4.肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较;Figure 9.10;; 2. 两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的 开启电压低于pn结二极管的有效开启电压。 3. 二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间纳秒数量级;MS可以用来加快BJT的瞬态关断过程。称为肖特基二极管的钳制。它的作用是，当BJT在开启状态进入饱和模式时，MS二极管导通并把CB结钳制到相对低的正偏压下，这种方法利用了MS能比pn结的导通电压低这一特点。这样CB结可以维持在一个相对较低的电压上，在BJT中可以有最少的电荷储存。所以关断的时间显著减少。;5. 镜像力对势垒高度的影响;镜像力的势能将叠加到理想肖特基势垒上，使原来的理想肖特基势垒的电子能量在MS界面处下降，即使肖特基势垒高度下降，这就是肖特基势垒的镜像力降低现象，又叫做肖特基效应。;;;实际的MS接触;遂道效应;本章小结;本章小结;本章小结;三 复习题 1. 什么是理想肖特基势垒高度？在能带图上指出肖特基势垒。 2.肖特基势垒二极管正偏时的电荷流动情况是怎么样的？ 3. 比较肖特基势垒二极管与pn结二接管正偏时的I-V特性。 4. 大致绘出金属-半导体结在?m?s时的能带图，并解释为什么这是一个欧姆接触？