第五章存储器系统精编.pptVIP

微型计算机原理与接口技术 ;第五章 存储器系统;主要内容;重点内容 了解存储器分类：RAM、ROM、 高速缓存等特点 了解存储器芯片结构特点 掌握存储器地址译码 了解微机系统存储器结构 掌握CPU与存储器连接 了解存储器新技术;5.1 概述;5.1.1 微型机的存储系统;Cache存储系统 提高速度 虚拟存储系统 扩大容量 ;存储器分为内存、外存;5.1.2 半导体存储器的分类;半导体 存储器;读写存储器RAM;SDRAM;DDR;DDR 内存模块分为DDR1600、DDR2100两种: DDR1600 (又称PC1600／DDR200) ﹕是指符合DDR1600标准的内存在100MHZ频率下运行可以得到200MHZ总线的频宽。该标准的内存只有64Bit，对于目前的PC系统而言，其传输速度最大能达到1600MB／S的频宽。DDR2100 (又称PC2100／DDR266) ﹕是指在符合DDR2100准的内存在133MHZ频率下运行可以到266MHZ总线的频宽，其传输速度最大能达到2100MB／S的频宽。 DDR 内存模块分为DDR4000 ：DDR4000 (又称PC4000／DDR500) ﹕是指在符合DDR4000标准的内存在250MHZ频率下运行可以到500MHZ总线的频宽，其传输速度最大能达到4000MB／S的频宽。;只读存储器ROM;5.1.3 半导体存储器芯片的结构;1、存储体;2、地址译码结构 ;3、片选与读写控制;;3、可靠性：指存储器对电磁场及温度等变化的抗干扰性。 平均无故障时间为几千小时以上。 4、 制作工艺：决定了存取速度、功耗、集成度等指标。 集成度：位／片　　　　 功耗：mW/位（NMOS工艺） 或 uW/位（CMOS工艺） ;5.2 随机存取存储器;5.2.1 静态存储器SRAM;六管基本存储电路; 静态RAM的结构 ;SRAM芯片2114;2114功能;SRAM 2114的读周期;SRAM 2114的写周期;SRAM芯片6264;6264功能;5.2.2 动态随机存储器DRAM; 单管动态RAM存储电路 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 也可以简化成和SRAM相同的基本形式（存储单元的基本型）。 ;DRAM芯片4116;TRAH;DRAM 4116的写周期;DRAM 4116的刷新;DRAM芯片2164;DRAM芯片2164A;主要引线;5.3 只读存储器;ROM通常可以分为以下几类：;二、 可编程ROM (PROM) 可编程只读存储器（Programmable ROM）的基本存储电路为一个晶体管。晶体管的集电??接Vcc，它的基极连接行线（字线），发射极通过一个熔丝与列线（位线）相连。 ;三、可编程可擦写ROM (EPROM) ???? 紫外线可擦除可编程的存储器的基本存储电路由一个浮置栅雪崩注入型MOS（FAMOS）管T2和一个普通MOS 管T1串联组成。其中FAMOS管作为存储器件用，而另一个MOS管则作为地址选择用，它的栅极受字线控制，漏极接位线并经负载并接到VCC。 ;（1）原始状态;四、可编程电可擦除ROM (EEPROM) E2PROM的特点 E2PROM（Electric Erasable PROM）即电可擦除可编程只读存储器，它突出的优点是在线擦除和改写，不像EPROM那样必须用紫外线照射时才能擦除，较新的E2PROM产品在写入时能自动完成擦除，且不需用专门的编程电源，可以直接使用系统的+5V电源。在芯片的引脚设计上，2KB的E2PROM 2816与同容量的 EPROM 2716和静态RAM 6116是兼容的，8KB 的E2PROM 2864A与同容量的EPROM 2764A和静态RAM 6264也是兼容的。上述这些特点给硬件线路的设计和调试带来不少方便之处。 E2PROM既具有ROM的非易失性的优点，又能像RAM一样随机地进行读写，每个单元可重复进行一万次以上的改写，保留信息的时间长达10年以上，不存在EPROM在日光下信息缓慢丢失的问题。;5.3.1 EPROM;EPROM芯片2716;EPROM 2716的功能;EPROM芯片2764;EPROM 2764的功能;5.3.2 EEPROM;EEPROM芯片2817A;EEPROM 2817A的功能;EEPROM芯片2864A;EEPROM 2864A的功能;5.4 译码电路;一、全地址译码;全地址