半导体器件物理与工艺_第4章研究.pptVIP

* 1 p-n结的整流效应: 在正向偏压下，正向电流密度随正向偏压呈指数关系迅速增大。 肖克莱方程讨论 * 室温下，一般外加正向偏压约零点几伏，有 说明: 正向偏压下正向电流密度与电压V呈指数关系。 2 在反向偏压下，反向电流密度达饱和，与电压无关。 * * 反向偏压的V 0, 当q│V│ 0时， 式中的负号表示出电流密度方向与正向时相反，故称-Js为反向饱和电流密度 此时电流电压方程可表示为： 由理想p-n结J-V曲线可以看出，在正向及反向偏压下曲线是不对称的，表现出p-n结的单向导电性或称为整流效应。 * 例5. 计算硅p-n结二极管的理想反向饱和电流，其截面积为2×10-4cm2. 二极管的参数是：NA 5×1016cm-3，ND 1016cm-3, ni 9.65×109cm-3，Dn 21cm2/s, Dp 10cm2/s, τp0 τn0 5×10-7s. 解：由 和 可得 * 4.5.2 产生-复合和大注入影响 1. 产生电流（Jgen） 在反向偏压下，耗尽区内的载流子浓度远低于热平衡时的浓度，产生和复合过程主要是通过禁带中产生-复合中心的电子和空穴发射，此时俘获过程不重要。 在pn ni及nn ni时，电子-空穴对的产生为： * 若σn σp σ0，则 结论： 在Et Ei时，产生率达最大值，且随Et由禁带的中间向两边 偏离时，产生率呈指数下降。只有那些能级Et靠近本征费 米能级的产生中心，对产生率才有显著贡献。 耗尽区的产生电流 以p+-n结为例，当NA ND和VR 3kT/q时，总反向电流JR为： 以Si和Ge作讨论 * 2. 扩散与复合电流 在正向偏压下，耗尽区载流子浓度超过平衡值，载流子通过复合回复平衡态，其主要的产生-复合过程为俘获过程。 由 可得： 因此， 结论： 最有效的复合中心Et位于接近Ei的地方。 * 当Et Ei时， 对于一给定的正向偏压，当nn+pn+2ni为最小值，或者nn+pn为最小值时，U具有最大值。 由 可知，为了使nn+pn为最小值，nn和pn之间满足什么关系？ nn pn为最小值的情况 因此，上述条件存在于耗尽区内某处，即Ei正好位于EFp和EFn的中间. 为什么？ * 所以，由 可得， 当V 3kT/q时， 所以，复合电流Jrec为： 为有效复合寿命。 * 因此，总正向电流为扩散和复合电流之和，即 当pn0 np0和V 3kT/q时， 实验结果可以表示成： 讨论： 当理想扩散电流占优势时，η 1；当复合电流占优势时，η 2；当两者电流相差不多时，1 η 2。 * 例2. 一硅单边突变结，其NA 1019cm-3, ND 1016cm-3，计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场 T 300K 解：由 * 2 偏置对耗尽区宽度的影响 不同偏置条件下，p-n结耗尽区宽度和能带结构 V 0 V 0（正偏）, W减小 V 0（反偏），W增大 由 可得 单边突变结耗尽区宽度与偏压的函数： 注：NB是轻掺杂的基体浓度，对于正向偏压，V 0；对于负向偏压，V 0. * 4.3.2 线性缓变结 Linearly graded junction 考虑热平衡情形，线性缓变结的杂质分布如下图所示。 其中，a是浓度梯度（cm-4），W为耗尽区宽度。 杂质浓度分布 * 泊松方程在此为： 利用边界条件， 一次积分可得， * 当x 0时，E x 具有最大值，所以： 对泊松方程再一次积分，得： 利用边界条件， * 当对线性缓变结施加正向或反向偏置时，耗尽区宽度随 Vbi-V 1/3变化。如果是正偏，V 0，如果是反偏，V 0. * 在耗尽区边缘，即 和 处的杂质浓度相等。 * 例3. 对于一浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽区宽度为0.5μm，计算最大电场和内建电势（T 300K） 解：由 和 得到， 单位面积耗尽层势垒电容：外加偏压变化dV时，单位面积耗尽层电荷的增量：Cj dQ/dV。 * 4.4 耗尽层势垒电容 任意掺杂浓度p-n结的势垒电容 dQ dV 1 反向偏压下任意杂质p-n结; 2 电荷增量造成电场增加: dE dQ/ε; 3 空间电荷随偏压的影响; * 4.4.1 电容-电压 C-V 特性曲线 单位面积耗尽层势垒电容: 只有在耗尽区变化的空间电荷对电容值由贡献。 注意：（1）势垒电容表达式适用于V 0时的情况。 （2）当V 0时，中性区有大量载流子流过结，这些载流子会随V的增大而增加，会贡献另一电容，称扩散电容。 * 以单边突变结为例 由公式： 和 可得： Cj εs/W 可以看出，1/Cj2随V作线性变化，其斜率为基体的杂质浓度NB, 由直线与V的交点可求出Vbi. 例4. 对一硅突变结，其中NA 2×1019cm-3, ND 8