半导体器件物理之半导体研究.pptVIP

半导体器件物理;参 考 书;主 要 内 容;第三章 典型半导体器件 3.1 双极结型晶体管 基本工作原理，输出特性，等效电路，异质结双极晶体管(HBT) 3.2 场效应晶体管 结型场效应晶体管, MOSFET的基本工作原理和电荷控制模型,C-MOS器件的基本工作原理,异质结场效应晶体管,非晶薄膜晶体管 3.3 光电子器件 LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学 3.4 专用微波器件 隧道二级管,IMPATT器件,体效应器件 第四章 新型半导体器件 超晶格器件，共振隧道器件，其他新型半导体;第一章 半导体物理基础;1.1;绝缘体、半导体和导体电导率的典型范围。;周期表中与半导体有关的部分;1.1;1.1;半导体材料的制备;§1.2 晶体结构--单晶半导体材料;1.2;纤锌矿结构，CdS, ZnS ;晶向：从坐标原点到点 （u ,?,w） 的直线 1。特定的方向用方括号表示：[ u ? w ] 2。晶向指数 u，?，w 是一组最小的指数，[1/2 1/2 1]→[112] 3。负指数[ū ? w ] 4。由对称性决定的等效晶向u ? ? ;1.2;;倒格基矢：当给定一组正基矢（a,b,c)时，可定义一组倒格基矢(a*,b*,c*);维格纳-赛茨原胞：从倒格子中选定的中心点到紧邻的等效倒格点作垂直平分面，如此得到的一组垂直平分面即可围成一个维格纳-赛茨原胞。;1.3;1.3.1;自由电子气模型;一维近自由电子模型的能带和带隙;1.3;1.3;1.3;1.3;1.3;1.3;1.3.2 有效质量 ; K空间等能面----标志晶体中载流子的E(k)关系;§1.4 热平衡时的载流子浓度 ;1.4.1 本征半导体 ;可得到本征载流子浓度： ;本征温度Ti：;1.4.2 施主和受主 ;Ge，Si和GaAs中各种杂质的实测电离能。 ;1.4.3 费米能级 ;掺杂半导体呢？根据载流子浓度和类型可以确定费米能级的位置。;考虑n型半导体： ;对于给定的NC,ND, NA,NV,EC,ED, EA,EV,T，费米能级能够唯一确定。;施主杂质浓度为1015 cm-3的 Si样品，电子密度与温度的关系。 ;对于凝固区的斜率，视补偿条件而定： ;对于饱和区:在宽的温度范围(例如上图100~500K)载流子密度保持 恒定. ;对p型半导体: ;根据以上的两个方程,得到费米能级位置的变化：;§1.5 载流子输运 ;1.5.1 迁移率 ;随着浓度的增加 ?迁移率减少 随着m*的增加 ?迁移率也减少 ?电子迁移率大于空穴迁移率;载流子扩散系数—与迁移率有关的重要参数;若np （n型半导体） ;300K下硅的实测电阻率与杂质浓度的关系;300K下Ge, GaAs和GaP的实测电阻率与杂质浓度的关系;1.5.3 霍尔效应 ;1.5.4 复合过程 ;单能级复合 ;多能级陷阱 ;§1.6 半导体的声子谱及光学、热学和高场性质 ;光学性质 ;纯Ge, Si, GaAs不同温度的吸收系数;热学性质 ;高场性质 ; 描述在外场作用下，半导体内载流子的静态和动态行为的方程。三类：麦克斯韦方程，电流密度方程，连续性方程。;1.8;连续性方程： ;举例：光生载流子的衰减 ;少子寿命测试设备示意图