致电离辐射探测学课件答题.pptVIP

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;表 面 位 垒 型 半 导 体 探 测 器;金硅面垒探测器;二、能量分辨率 1.产生载流子数目和能量损失的统计涨落 N的涨落服从高斯分布 又 由电子空穴对的涨落引起能量峰的展宽。 ;第五章 半导体探测器;2.探测器和电子学系统的噪声(图5.4);温度对半导体探测器的能量分辨率影响的实例 ;3.其它因素 谱线总的展宽 可从各部分展宽得到:;三、电荷的收集和时间特性 势垒区内各点的电场强度 电子的迁移率 可以认为是常数,这时电子漂移速度 ;;四、辐射损伤 对非相对论粒子,根据能量守恒和动能守恒原理,一个能量为E0 ,质量为m的粒子与质量为M的静止粒子碰撞时,静止粒子得到的动能为 Φ为M的反冲角,见图5.5;;五、全耗尽探测器 主要用途 (1) 用于定时。 (2) 用于粒子鉴别和探测器望远镜中的△E探测器。 ;;一、HPGe探测器的结构;第五章 半导体探测器;二???同轴型HPGe探测器的电场和电容 在柱坐标中,泊松方程可化为以下形式: 考虑双端同轴型。设其内径和外径分别为r1和r2。设外加电压为VB,即V(r2)- V(r1)=VB,解得;第五章 半导体探测器; 设使探测器刚好达到耗尽状态的电压以Vd表示,这时(5.26a)式中的E(r1)=0,可以求出 双端同轴全耗尽的HPGe探测器单位长度的电容为;三、 HPGe探测器的主要功能 1.能量分辨率 2.探测效率 (1)绝对全能峰探测效率εp (2)相对效率 效率与灵敏体积之间的关系对1.33MeV可以粗略地用下式表示 ;第五章 半导体探测器;第五章 半导体探测器;第五章 半导体探测器;3.峰康比峰形状 ;4.电荷收集和时间特性 ;第五章 半导体探测器;第五章 半导体探测器;第五章 半导体探测器;5.中子辐照损伤

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