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;d;2、 能带;满带;满带;满带;满带;满带;满带;满带;空带;空带;满带;2 杂质半导体 ;满带; P 型半导体 举例 4 价的硅+ 3 价的硼;满带;四 p -n 结; 内建场大到一定
程度,不再有净电
荷的流动,达到了
新的平衡。; p-n结处存在
电势差U0形成的势垒区 。;p - n结的单向导电性;外加正向电压越大,
形成的正向电流也越大,
且呈非线性的伏安特性。;p-n结的p型区接电源负极,叫反向偏压。; 当外电场很强,反向电压超过某一数值后,
反向电流会急剧增大 — 反向击穿。;晶体管的发明;;1. 了解基尔霍夫定律及黑体辐射的两个实验定律。
了解普朗克量子假设。
2. 理解光电效应和康普顿效应的实验规律,
以及爱因斯坦的光子理论对这两个效应的解释。
理解光的波粒二象性。
3.了解德布罗意的物质波假设,
理解实物粒子的波粒二象性。
4.理解描述物质波动性的物理量(波长、频率)
与粒子性的物理量(动量、能量)间的关系。
5.理解氢原子光谱的实验规律及玻尔的氢原子理论。
了解该理论的意义和局限性。;6.了解波函数及其统计解释。
了解一维坐标动量不确定关系。
了解一维定态的薛定谔方程。
7.了解如何用波观点说明能量量子化。
了解角动量量子化及空间量子化。
了解斯忒恩—盖拉赫实验及微观粒子的自旋。
8.了解描述原子中电子运动状态的四个量子数,
了解泡利不相容原理和原子的电子壳层结构。
9.了解激光的形成、特性及其应用。
10.了解固体能带的形成,
并用能带观点区分导体、半导体和绝缘体。
了解本征半导体、n型半导体和p型半导体。;物体中作热运动的带电粒子所辐射的
电磁波称为热辐射。; 黑体 单色吸收率恒等于1的物体称为黑体。;光照射某些金属时,
能从表面释放出电子的效应。;光电效应的实验规律; V;2 光电流与正向电压的关系;☆; V;截止电压的存在说明,此时,
从阴极K逸出的具有最大初动能的光电子,
由于受到外加电场的阻碍,
也不能到达阳极A了。 ;5 截止电压与入射光频率的关系;?;6 光电效应与光照时间的关系;用光的波动理论无法解释光电效应实验事实。
如果把光看成纯粹的电磁波,
则光电子的初动能应与照射光的强度有关;
只要照射时间足够长,使电子的能量充分累积,
最终一定能产生光电子,而不会存在极限频率;
电子需要能量积累过程,
一定会存在一个滞后的时间,
这些都与实验规律相矛盾。 ;X射线照射在石墨上产生散射。;爱因斯坦的光子理论 ;光子理论对光电效应的解释 ;如果要发生光电效应,必须;当用大于红限频率的光入射(可以发生干涉效应),
单位时间内打下的光电子数与入射光强(光子数)成正比。
如果加速电压不是很强,
单位时间年产生的光电子不能全部被输送到阳极,
所以光电流随加速电压的增高而增大;
当加速电压增高到一定程度,
保证单位时间内产生的光电子都被输送到阳极,
再增高加速电压,没有光电子可以被输送到阳极,
加速电压再增高,光电流不会再增大,
光电流达到了饱和。;在可以发生光电效应的前提下,
入射光强度增高,单位时间内入射的光子数增大,
发生的光电效应数增高,
单位时间内打下的光电子数增高,饱和电流增高。]
饱和电流与入射光强成正比。 ;当入射光子的能量大于该金属的脱出功(发生光电效应),
光电子还有一定的初动能
(最大初动能是入射光子能量与脱出功之差),
可以自动向阳极运动,即使不加加速电压,
光电子也可以自己到达阳极,形成光电流。
只有加反向电压(使光电子减速),才能使光电流减小。
只有加的反向电压达到某一值时,
最大初动能的光电子也不能到达阳极,光电流为零
。所以,存在反向截止电压。;截止电压与光电子的最大初动能的关系为;光电子在吸收一个充足能量的光子后马上就能产生。 ;光子理论对康普顿效应的解释 ;能量守恒;光的波粒二象性 ;3.德布罗意波;4.波函数;一般情况下,粒子的状态可用波函数;不确定关系 ;5. 薛定谔方程 ;定态薛定谔方程 ;U=0;6. 氢原子光谱;玻尔理论 ;③量子跃迁假设 ;量子力学对氢原子的应用 ;氢原子电子处于束缚态,;电子绕核运动的角动量只能取如下分立值:;7.电子的自旋 ;8.原子的壳层结构;泡利不相容原理 ;相同,但;9.激光;(2)自发辐射: ;(3)受激辐射: ;激光原理;d; 量子力学计算表明,固体中若有N 个原子,
由于各原子间的相互作用,
对应于原来孤立原子的每一个能级,
变成了N 条靠得很近的能级,称为能带。;满带;满带;满带;满带;满带;满带;满带;
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