光电技术08图像信息的光电变换.pptVIP

第8章 图像信息的光电变换 ; 1965年，氧化铅视像管(Plumbicon)，成功地取代了超正析像管，结构简单，分辨率高，灵敏度高，体积小，惯性小，广泛应用于彩色电视摄像机 1976年，硒靶管（Saticon）和硅靶管（Siticon） 灵敏度更高，成本更低 1970年，电荷耦合器件（CCD）， 体积更小，灵敏度更高，应用更灵活更方便;2. 图像传感器的分类 ;工作过程;8.2 光电成像原理与电视制式 ;1.摄像机的基本原理 ;2. 图像的分割与扫描 ;（2）扫描： 面阵CCD：转移脉冲方式将电荷包（像素信号）输出一维时序信号； CMOS：顺序开通行、列开关的方式完成像素信号的一维输出。因此，有时也称面阵CCD、CMOS图像传感器以自扫描的方式输出一维时序电信号。 监视器或电视接收机：几乎都是利用电磁场使电子束偏转而实现行与场扫描，因此，对于行、场扫描的速度、周期等参数进行严格的规定，以便显像管显示理想的图像。 ;如图8-2（a）所示的亮度按正弦分布的光栅图像，电子束扫描一行将输出如图8-2（b）所示正弦时序信号，其纵坐标为与亮度L有关的电压U，横坐标为扫描时间t。若图像的宽度为W，图像在x方向的亮度分布为Lx，设正弦光栅图像的空间频率为fx。电子束从左向右扫描（正程扫描）的时间频率f应为 ;8.2.2 电视制式 ;1. PAL彩色电视制式 ;2. 扫描方式 ;作用下同时进行水平方向和垂直方向的偏转，完成对显像管荧光屏的扫描。 ;能保证人眼视觉对图像分辨率及闪耀感的要求，早在20世纪初，人们就提出了隔行扫描分解图像和显示图像的方法。;8.4 电荷耦合器件 ;1.电荷存储 ;图8-16描述了在掺杂为1021 cm-3，氧化层厚度为0.1μm、0.3μm、0.4μm和0.6μm情况下，不存在反型层电荷时 ，表面势Φs与栅极电压UG的关系曲线。从表面势Φs与栅极电压UG的关系曲线可以看出氧化层的厚度越薄曲线的直线性越好；在同样的栅极电压UG作用下，不同厚度的氧化层有着不同的表面势。表面势Φs表征了耗尽区的深度。 ; 图8-17为栅极电压UG不变的情况下，表面势Φs与反型层电荷密度Qinv之间的关系。由图8-17可以看出，表面势Φs随反型层电荷密度Qinv的增加而线性减小。依据图8-16与图8-17的关系曲线，很容易用半导体物理中的“势阱”概念来描述。电子所以被加有栅极电压的MOS结构吸引到半导体与氧化层的交界面处，是因为那里的势能最低。在没有反型层电荷时，势阱的“深度”与栅极电压UG的关系恰如Φs与UG的关系，如图8-18（a）空势阱的情况。 ;2. 电荷耦合 ;3. CCD的电极结构 ;2. 三相电阻海结构 ;3. 三相交叠硅栅结构 ;4. 二相硅-铝交叠栅结构 ;5. 阶梯状氧化物结构 ;6. 四相CCD ;7. 体沟道CCD ;4. 电荷的注入和检测 ;（2 ） 电注入 (1) 电流注入法 (2) 电压注入法 ;(8-8);（3）电荷的检测(输出方式) ;5. CCD的特性参数 （1） 电荷转移效率η和电荷转移损失率ε ;（2） 驱动频率 ;6. 线型CCD摄像器件的两种基本形式 ;(2) 双沟道线阵CCD;8.4.2 面阵CCD图像传感器 ;(2) 隔列转移型面阵CCD ;(3)线转移型面阵CCD ;8.5.1 CMOS成像器件的结构原理 ;;图像信号的输出过程可由（如图8-32所示）图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 ;2. CMOS成像器件的像敏单元结构 ;主动式像敏单元结构：场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 ;8.5.2 典型CMOS图??传感器 ;SXGA型CMOS成像器件像敏区的结构如图8-38所示 。;SXGA型CMOS成像器件的光谱特性如图8-39所示。 ;（2） 输出放大器 ;; 当需要慢速读出图像信号时，需要采用慢速调节偏压的方法。为防止偏压漂移，每行都要进行偏压调节。调节过程如图8-45所示，它与图8-44的主要区别在于调节过程的时间较长。 ;;（3）A/D转换器 ;8.6 热成像器件 ;2. 热释电摄像管的基本结构 ;3. 典型热像仪 ;（2）IR210高清晰度夜间红外监视探测仪