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第三章 Sputtering/溅射;什么是溅射?;①荷能粒子为 几十个电子伏特的粒子
--说明入射粒子的能量范围
②入射粒子或粒子束,一般意义上的溅射就是指离子溅射。
③出射原子靠近表面 ;;3.1 等离子体-溅射如何发生?;*;*;2. 如何生成等离子体?;引入电场加速自由电子
加速的自由电子与气体分子发生碰撞
碰撞后,会发生:
a. dissociation/解离
b. Ionization/电离
c. Excitation/激发;3. 等离子体的电价;*;*; 等离子体鞘层:;*;气体分子分解为更小的“自由基”:
M + e- = M1 + M2 + e-
自由基是高能量的化学物质。
尽管成电中性,但是并不稳定。
容易与其他物质发生反应而达到稳定状态。; 如图所示,Cl自由基生成。稳定态为 Cl2.
单个 Cl 不稳定,易与Al反应 Al(s) + 3Cl(g) ? AlCl3 (g)
这就是Al刻蚀工艺。;Dissociation ?? Recombination
如果化学反应中有剩余自由基的话,他们会自动复合形成稳定态:CCl3 + Cl ? CCl4
等离子体中自由基可以用于:
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)/等离子体增强化学气相沉积
化学反应生成 固体
Plasma Etching and Plasma Cleaning/等离子体刻蚀和等离子体清洁
化学反应生成 蒸汽;电子被从中性原子和分子上敲下来M + e- = M+ + 2e-
生成带正电的颗粒称为“离子”。
因为带电,所以可用电场操控。;每次碰撞后会产生两个自由电子;
因此用于电离的自由电子加倍;
这个不断的倍增过程称为
“impact ionization/碰撞电离”
;电子碰撞后,分子保持完整,但吸收能量进入激发态;
价电子被激发到更高的能级(壳层);
几纳秒后,激发态电子回落到价带,称为 “Relaxation/弛豫”;
多余能量转化为光子,通过发光释放。
因此等离子体会发光。;不同气体被激发后发出不同颜色的光:
Nitrogen/氮气, Helium/氦气, Sodium/钠, Boron/硼, Neon/氖气
颜色(或波长)与弛豫时失去的能量有关:
E = hv
这个特性使得分析产生等离子体的气体成为可能。
例如: 等离子体刻蚀时的 Endpoint detection/终点探测;6. 等离子体的应用① Etching/刻蚀; 低压 CVD vs. 等离子体增强CVD
反应温度 高 低
沉积速率 慢 快
有害气体 多 少
器壁沉积 多 少; 蒸发 vs. 溅射
源类型 点源 平面源
合金制备 难 易
晶体结构 小/多 大/少
电子迁移 难 易
附着力 差 好;3.2 Glow discharge/辉光放电;*;电弧不是辉光放电;
电弧是两电极之间介电空间的低阻击穿;
在高压强和高电压下发生;
电极表面部分气化,金属蒸汽成为导体。
电弧会把辉光放电产生的电流导走,使等离子体失效;
一旦发现电弧产生,必须立刻关闭系统!
电弧发光的主要应用:钠蒸汽和水银蒸汽灯。;*;多重电离/复合和激发/弛豫导致发光
光的颜色与所用气体有关
注: 发光区基本不做任何事情(例如:刻蚀/etching)。
;*;*; 3. 帕邢曲线-Paschen Curve;帕邢曲线和击穿电压;*;;*;1. Threshold voltage/阈值电压;*;*;b. 靶材原子序数;c. 入射原子序数;d. 入射角;;*;*;*;*;*;4. 溅射原子的角度分布;*;*;3.4 溅射机理;*;2. 级联碰撞理论;二体弹性碰撞;*;3. 溅射率的表达式;*;*;3.5 溅射过程;*;*;95 % 入射能量被靶材吸收
= 冷却靶材
5 %入射能量被溅射的靶材原子带走
能量一般为5-100 eV
靶材原子的发射并非均匀分布
更多的原子垂直于靶材表面
服从余弦分布cosine distribution (象平面源)
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