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机电类《自动检测技术及应用》多媒体课件统一书号:ISBN 978-7-111-34300-4配套 课 程 教学网站 或/第十章,第1、2、3节;第十章(上) 光电传感器;10.1 光电效应与光电元件
10.2 光电元件的基本应用电路
10.3 光电传感器的应用;1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应,并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 ;光电效应的分类;1)外光电效应;爱因斯坦光电方程 电子逸出金属表面的速度v可由能量守恒定律确定:;几种金属逸出功的近似值(eV); 光的频率、波长、光速之间的关系;电磁波频谱(光是一种电磁波); 光电管电路及特性;光电倍增管; 紫外光电管; 二、基于内光电效应的光电元件;光敏电阻外形及结构;光敏电阻原理演示 ;光敏电阻的特性和参数;3)响应时间:光敏电阻受光照后,光电流需要??过一段时间(上升时间)才能达到其稳定值。同样,在停止光照后,光电流也需要经过一段时间(下降时间)才能恢复到其暗电流值,(时延特性)。光敏电阻的上升响应时间和下降响应时间约为10–2~10–3s,光敏电阻不能用在要求快速响应的场合。;部分光敏电阻的特性参数;二、光敏管;光敏二极管的结构;光敏二极管的工作原理;部分光敏二极管特性参数;光敏二极管实物照片 ;光敏二极管外形 ;光敏二极管伏安特性及红外发射、接收对管 ;光敏二极管的反向偏置接法; 光敏二极管的反向偏置接线(参考上页图)及光电特性演示 ;特殊光敏二极管——PIN二极管;PIN二极管;PIN二极管的PN结与内部电场;特殊光敏二极管——APD二极管;APD光敏二极管的PN结、内部电场分布及电子倍增;APD光敏二极管的外形及用途;GD3250系列硅雪崩光电二极管的特性参数 ;.;光敏晶体管 ;光敏晶体管的结构;NPN型光敏晶体管的电流增益;光敏三极管的外形 多数只有C、E两个电极;硅光敏晶体管的伏安特性;硅光敏晶体管的光谱特性 ;硅光敏晶体管的光谱特性 ;几种光敏材料的光谱峰值波长;光敏二极管、晶体管的光电特性比较 ;光敏管的特性(续);光敏管的频率特性;光敏晶体管的频率特性;3DU光敏三极管特性参数;光敏达林顿管;光敏晶闸管;光敏晶闸管用于光控路灯电路;光敏晶闸管多用于弱电控制强电的光耦电路;单片机控制灯光或交流继电器电路;三、基于光生伏特效应的光电元件 ——光电池;太阳能电池的种类;光电池的结构及工作原理示意图;光电池内部载流子的漂移示意图;光电池外形;1.硅光电池的图形符号及等效电路;2.硅光电池的主要特性;光谱特性:;光电池的光电特性 ;光电池的光电特性 演示;光电池的温度特性;光电池的频率特性;能提供较大电流的大面积光电池外形(频率特性很差);光电池组件;光电池在动力方面的应用;光电池在动力方面的应用(续);光电池在动力方面的应用(续);各种光电池;第二节 光电元件的基本应用电路;二、光敏二极管的应用电路;例:用反相器来得到较大负载能力的电路见左下图,光电特性见右下图,RL=10kΩ,求:74HC04的输出稳定地跳变为高电平时的光照度阈值。;三、光敏晶体管应用电路;光敏晶体管的输出状态比较;例:光控继电器电路如下图,1)分析工作过程;2)若VCC=12V,中间继电器KA的驱动线圈阻值RKA=100Ω,额定动作电流为80mA。设V2的β足够大,求:在强光照时,流过中间继电器KA的电流,以及继电器的状态。;解: 1)当无光照时,V1截止,IB=0,V2也截止,继电器KA处于失电(释放)状态。;.;四、光电池的应用电路 ——光电池短路电流测量电路 ;例:设某光电池的面积A=10mm2,输出特性如下图所示,Rf=100kΩ,R21=10kΩ,R22=300kΩ,RRP=50kΩ(标称值),E=10lx,求:Uo2的调节范围。;解:;第三节 光电传感器的应用;—、光源本身是被测物的应用实例 ——照度计;照度计的技术指标;照度计中的补偿器;红外线辐射温度计简述;红外线辐射温度计外形;红外线辐射温度计原理;红外辐射温度计原理(续);红外辐射温度计原理(续);红外辐射温度计原理框图;部分红外线辐射温度计的特性参数; 红外线辐射温度计的使用距离与目标直径、面积的关系;红外线辐射温度计在菜肴保温中的应用; 红外线辐射温度计在非接触测量食物温度中的应用(续);红外线辐射温度计非接触测量管道的温度;红外线辐射温度计在非接触温度测量中的应用(续);红外线辐射温度计在非接触体温测量中的应用;红外线辐射
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