第八章霍尔式传感器课程.pptVIP

8.霍尔传感器;霍尔式传感器——1.霍尔效应;;;霍尔系数,材料确定后为常数;图8-2 霍尔元件的基本结构;1.额定激励电流—— 当霍尔元件自身温升10度时所流过的激励电流 2.最大允许激励电流—— 以元件最大温升为限制所对应的激励电流 3.输入电阻Ri——激励电极间的电阻 4.输出电阻Ro——电压源内阻 ;5.不等位电势U0—— 当霍尔元件的激励电流为I时,若元件所处位置磁感应强度为零,则霍尔电势应该为0,但实际不为零,此时测得的空载霍尔电势。 6.不等位电阻r0—— 7.寄生直流电势—— 当外加磁场为零,霍尔元件用交流激励时所产生的直流电势。 8.霍尔电势温度系数—— 在一定磁感应强度和激励电流下,温度每变化1℃时,霍尔电势变化的百分率。 ;例8-1 已知霍尔元件的灵敏度系数KH=30 V/(A·T),输入电阻Ri=2000Ω,输出电阻Ro=3000Ω,采用恒压源供电,恒压源电压为5V,不考虑恒压源的输出电阻,当霍尔元件置于B=0.4T的磁场中时,如输出接负载电阻RL=27000 Ω,求负载上的电压。 　　;解:霍尔元件的等效电路如图所示,则流经霍尔元件的电流为 　 ;两点误差： 1.不等位电势 原因：①电极引出时偏斜②半导体的电阻特性(等势面倾斜)造成③激励电极接触不良。 ;两点误差： 2.寄生直流电势 原因: (1)控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时,会产生整流效应。 (2)两个霍尔电极焊点的不一致,引起两电极温度不同产生温差电势;1.不等位电势补偿方法 (1)制作工艺上保证电极对称、欧姆接触 (2)电路补偿 所有能够使电桥达到平衡的方法均可用于补偿不等位电势,使不等位电势为零,所以补偿方法很多,各有特点。;(2)电路补偿 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥,不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 ;图8-4 不等位电势补偿电路;不等位电势的补偿电路 对称电路 ;产生原因： (1)霍尔元件的基片是半导体材料,因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 (2)当温度变化时,霍尔元件的一些特性参数,如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化,从而使霍尔式传感器产生温度误差。 ;减小霍尔元件的温度误差措施;恒流源温度补偿 ;具体补偿方法(补充) 在霍尔元件上并联一Rp分流， 当T增大时—UH 增大 —Ip增大 —Ri增大—IH 减小—UH 下降 Rp 自动加强分流，使Ip 增大 —IH 下降—UH下降,补偿电阻 Rp可选择负温度系数.;初始状态：KH0,Ri0, 　　　　　　　　 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 ;补偿电路必须满足温升前、后的霍尔电势不变，即; 当霍尔元件选定后,它的输入电阻 和温度系数 及霍尔电势温度系数 可以从元件参数表中查到( 可以测量出来),用上式即可计算出分流电阻 及所需的分流电阻温度系数 值。 ;8.1 霍尔传感器——6.霍尔传感器的应用;1.微位移和压力的测量 测量原理： 霍尔电势与磁感应强度成正比,若磁感应强度是位置的函数,则霍尔电势的大小就可用来反映霍尔元件的位置。 应用： 位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度 ;图8-6 霍尔式位移传感器结构及磁场强度变化曲线;弹簧管 磁铁 霍尔片 ; 霍尔式加速度传感器;;;;;固定在磁性转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲，检测出单位时间的脉冲数，便可计算出被测转速。磁性转盘上小磁铁数目的多少决定了传感器测量转速的分辨率。;;应用 ：无触点开关;;3.电流的测量——电流计 将霍尔元件垂直置于磁环开口气隙中,让载流导体穿过磁环,由于磁环气隙的磁感应强度B与待测电流I成正比,当霍尔元件控制电流IH 一定时,霍尔输出电压UH 则正比于待测电流I,这种非接触检测安全简便,适用于高压线电流检测。;;4.磁场的测量——高斯计 将霍尔元件垂直置于磁场B中，输入恒定的控制电流I，则霍尔输出电压UH 正比于磁感应强度B，此方法可以测量恒定或交变磁场的高斯数。 ;5、集成霍尔元件;线性集成电路(测位移、测振动);8.2 磁电感应式传感器;8.2.1磁电感应式传感器工作原理;8.2.1磁电感应式传感器工作原理;磁阻式磁电传感器 线圈和磁铁部分都是静止的,与被测物连接而运动的部分是用导磁材料制成的,在运动中,它们改变磁路的磁阻,因而改变贯穿线圈的磁通量,在线圈中产生感