微加速度计设计资料.ppt

微加速度计设计;1.量程:0～A g、0～B g、0～C g和0～D g;第一阶段 知识的积累;一、压阻式微加速度计的工作原理;R1;二、硅材料的选择;N型硅——P型电阻条 ;三、典型结构分析;(a)和(b)为悬臂梁式结构，优点是灵敏度高，但其一阶固有频率低，频率响应范围窄，且横向灵敏度较大。 (c)～(g)为固支梁结构 ，其一阶固有频率比悬臂梁式结构高得多，有利于扩大传感器的频率响应范围。但在电桥中压敏电阻数量相同的情况下，其灵敏度低于悬臂梁式结构。 (g)图所示的四边八梁结构横向灵敏度最低，但其输出灵敏度也最低。 综合考虑，所要设计的传感器采用 双端四梁结构(e)，该结构在保证一定的输出灵敏度的基础上能够较好地解决横向灵敏度的问题。 ;四、设计约束;工艺条件约束; 加工单位所能实现的压敏电阻如右所示。压敏电阻包括三部分： P－、P+和引线孔，压敏电阻的宽度由P－决定，长度由P+决定。 ;版图设计约束;五、关键工艺介绍; 热氧化的生长机制:开始时，氧原子与硅原子结合，二氧化硅的生长是一个线性过程。大约长了500?之后，线性阶段达到极限。为了保持氧化层的生长，氧原子与硅原子必须相互接触。在二氧化硅的热生长过程中，氧气扩散通过氧化层进入到硅表面，因此，二氧化硅从硅表面消耗硅原子，氧化层长入硅表面。随着氧化层厚度的增加，氧原子只有扩散通过更长的一段距离才可以到达硅表面，因此，从时间上来看，氧化层的生长变慢，氧化层厚度、生长率及时间之间的关系成抛物线形。 ; 腐蚀分为湿法腐蚀和干法腐蚀。利用KOH腐蚀剂在(100)晶面进行各向异性腐蚀是体硅微机械加工工艺中一种简单易行且重要的加工工艺。湿法腐蚀形成质量块的时候需要进行凸角补偿。最常用的凸角补偿方法如下所示。 ; 干法腐蚀包括PE（等离子体腐蚀），RIE（反应离子腐蚀），ICP（感应耦合等离子体腐蚀），TCP（变压器耦合等离子体腐蚀），ECR（电子回旋共振腐蚀）等。干法腐蚀清洁、干燥，无浮胶现象，工艺过程简单，图形分辨率高。本结构中最后释放梁-质量块结构采用的就是ICP刻蚀。由于ICP刻蚀温度较湿法腐蚀高，可能存在残余应力高等问题。同时，不同的加工单位对ICP刻蚀深度的要求也不相同。 ; 溅射镀膜的原理是在真空室内使微量氩气或氦气电离，电离后的离子在电场的作用下向阴极靶加速运动并轰击靶，将靶材料的原子或分子溅射出来，在作为阳极的基片上形成薄膜。溅射（sputtering）已广泛地用于在基片上沉积铝、钛、铬、铂、钯等金属薄膜和无定形硅、玻璃、压电陶瓷等非金属薄膜。用溅射法制造的薄膜均匀性好，可以覆盖有台阶的表面，内应力小，现已在很大程度取代了蒸发镀膜。; 离子注入是掺杂技术的一种，就是将所需的杂质以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性能、制作PN结、集成电路的电阻和互联线的目的。复合量程微加速度计中压敏电阻就是通过硼离子注入得到的。 ;六、所用软件;第二阶段 结构设计与分析;一、结构尺寸的确定;1. 理论计算;梁端部的挠度 ; 设计过程中，为了满足固有频率和灵敏度的要求，设计各种尺度的结构，得到了单一结构尺寸与固有频率、灵敏度（应力值）之间的关系。;2. 结构尺寸参数;二、惠斯通电桥的设计;双边四梁结构和惠斯通电桥连接图;X方向加载A g; 如果设计成闭环电桥，则需要考虑影响电桥平衡的原因：;三、结构的仿真与性能分析; SET TIME/FREQ LOAD STEP SUBSTEP CUMULATIVE 1 26908. 1 1 1 2 35464. 1 2 2 3 59671. 1 3 3 4 72029. 1 4 4 5 0.32776E+06 1 5 5; 结构静力学分析是ANSYS 产品的家族中7种结构分析之一，主要用来分析由于稳态外载荷所引起的系统的位移、应力和应变，其中稳态载荷主要包括外部施