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-  PAGE 14 - 真空原理基本介紹 真空之定義與分類 定義 真空之英文為”Vacuum”，表示空無一物，若更進一步說明，則指在某一特定空間中不存在任何物質。事實上這種情形並不存在，即便在外太空物質分佈最稀薄的地方，也還存在有若干氣體分子、粒子等。在真空技術裏，真空係針對大氣而言，表示一特定空間內的部份氣體被排出，其壓力小於一大氣壓，通常稱此空間為真空或真狀態。 真空 大氣 ▲大氣與真空狀態下之分子數目 2.分類 真空技術中，將真空依壓力大小分為四個區域，各真空壓力範圍內之特徵如 表一：以20℃之空氣為例。 3.壓力單位及真空度之定義 3-1常用之壓力單位： 1 atm＝760 mmHg＝760 torr＝1013 mbar 1 mbar＝torr＝100 Pa ※詳細之壓力單位換算第6單元之單位換算表 3-2真空度：係指真空系統中壓力的程度。這個名詞是國內真空工業界自創 的名詞，一般多以低真空（low vacuum）、高真空（high vacuum）、超高 真空（ultra-high vacuum）來代表真空系統的真空度，而真空度的高低正 好與壓力相反，即低真空表示高壓力，高真空表示低壓力。 4.半導體製程設備之真空需求 半導體製程設備功能或產物基本壓力 （Torr）作業壓力 （Torr）蒸鍍低熔點金屬薄膜～10-6～10-4SputteringAl－Si－Cu Ti，TiN～10-6～10-4LP－CVDSi3N4 SiO2 Poly－Si α－Si～10-3～10-1Plasma CVDα－Si SiNX SiOX＜10-7～10-2Ion implanterDoping：B，P，As～10-9～10-5Dry etchingSi3N4 SiO2 Poly－Si Al，Ti，TiN～10-7～10-2分析檢測設備電子顯微鏡 （SEM，TEM）Failure analysis＜10-6＜10-6表面分析儀 （AES，SIMS）Failure analysis＜10-9＜10-9 真空中之氣體性質及定律 1.氣體分子密度（Molecular density，n），單位：分子數／cm3 定義：依據氣體動力論之結果可知在單位體積內之氣體分子數目與壓力及溫 度有關。壓力愈低，分子數目愈少。 公式：P＝nkT P：壓力（torr） n：分子數／cm3（9.656×1018） k：玻爾茲曼常數 T：氣體溫度（oK） 2.氣體分子運動速度（Molecular velocity），單位：cm／sec 公式：由氣體分子之平均動能為E＝＝mv2，可得出 氣體分子平均速度VAV＝ 3.氣體分子平均自由徑（Mean free path，λ），單位：cm 定義：氣體分子與其它氣體分子連續兩次碰撞間所運動距離之平均值。在真 空技術應用中，分子平均自由徑的大小是氣體分子對真空中運動料子 干擾程度的衡量標準。 公式：λ＝＝2.33×10-20 T／Pdo2（cm） T：溫度（oK） P：壓力（torr） do：距離之平均值（cm） 在室溫時，λ＝cm（P：torr） 由此得知，溫度固定時，平均自由徑與壓力成反比。 4.入射碰撞率（Impingement rate，ZA），單位：分子數／cm2／sec 定義：氣體分子每秒鐘之時間內與其他氣體分子之平均碰撞次數。其與當時 之壓力及分子速度成正比。 公式：ZA＝（分子數／cm2／sec） 5.器壁單層膜形成時間（Monolayer formation time，τ），單位：sec 定義：若器壁原先並無氣體沈積吸附，而且每一入射之氣體分子與平面碰撞 後均附著在表面上，則形成單層分子或原子膜的時間 公式：τ＝ 由此得知，在真空度愈高時，氣體分子在器壁表面形成單層膜所需時間愈長， 這一點在進入超高真空領域時愈顯重要。 表二：25℃時單層膜形成時間與壓力、分子密度、 入射碰撞率、平均自由徑之關係 P torrn Molec/cm3ZA Molec/cm3/secλ cmτ sec760 1 10-3 10-6 10-9 10-12 10-152.46×1019 3.25×1016 3.25×1013 3.25×1010 3.25×107 3.25×104 3.25×102.88×1023 3.78×1020 3.78