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介质中的磁场
物质(磁介质[Magnetic Medium])在磁场的作用下,
将发生变化,这种变化反过来又影响原来的磁场,这
种物质称为磁介质。在磁场作用下磁介质的变化──
磁化。这个与电介质在电场中的情形类似,因此,磁
介质的描述方法及物理量与电介质非常相似。 ; 本章主要研究磁化的宏观规律,重点是
磁场强度(magnetic intensity)和介质中的环
路定理,磁化的微观机理,铁磁质的磁化
规律。; (2) 顺磁质的磁化 当顺磁质中存在磁场时,分子电
流的磁矩将与磁场方向趋于一致。这就是磁介质的磁
化。如图所示。出现 束缚磁化电流; (4) 磁介质内部的磁感应强度 由于磁介质被磁化,
磁化电流将在磁介质中激发磁场,因此,磁介质中任
一点 P 的磁感应强度应该为:;由特例给出(均匀磁化的柱形棒); 在介质中任取一以 L 为边界的曲面 S ,计算通过
曲面 S 的磁化电流 I?,分子电流与 S 的关系??分为三
种情况:;凡中心在圆柱体内的分子电流都被 dl 穿过,数量
为 ,贡献为;磁化电流面密度与磁化强度关系:;一、磁场强度 , 磁介质中的安培环路定理;这表明:磁场是无源场,是涡旋场。; 对大多数磁介质,实验证实,磁化强度与磁场强度
成正比,即;解∶取圆形回路为安培回路,则有;§9?3 磁介质的磁化规律;二、顺磁质和抗磁质的磁化规律;2. 抗磁质──分子的固有磁距为零,如:铜、银、氢。;;三、铁磁质;(2)当磁场强度等于零时,铁磁
质中的磁感应强度不为零,
这种情形称为磁滞效应。; 铁磁质中 B 和 ?r 随 H 的变化曲线; (4) 电子计算机中的记忆元件──矩磁材料。;1)无外磁场时,各个磁畴的磁矩方向不同,磁介质
中任一处磁矩矢量和为零,对外不显磁性,当存在
外磁场时,由于磁畴的壁取向与外磁场一致,显一
定的磁性。;§9?4 磁路定理;磁屏蔽的原理如图所示,磁感应线(与电流线类比)
总是在磁导率大的地方较密,在磁导率小的地方较疏,
(类比:电流密度在电导率较大的地方较强,在电导率
较大的地方较弱);1. 三种磁介质: 顺磁质(paramagetic );; 5. 磁化率和磁导率,;9-1,9-2 ,9-3 。
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