4场效应晶体管课题.pptVIP

1.4场效应晶体管;内容提要;1.4.1结型场效应管的结构和符号;图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图; 图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用;图1.4.4 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况;图1.4.5 场效应管的输出特性;图1.4.6 场效应管的转移特性曲线; 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号;图1.4.8 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响;图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响;图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线; 图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性;图1.4.13 场效应管的符号及特性;1.4.3场效应管的主要参数;例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下 分别为多少？;如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V，饱和漏电流IDSS=4mA。试问，为保证负载电阻RL上的电流为恒流， RL的取值范围为???少？;1.4.5场效应管与晶体管的比较;今日作业