硅片加工表面抛光重点.ppt

上章内容回顾;为何是对硅片，而不对硅锭，进行热处理？ 1) 大块单晶不容易均匀受热，加热后易发生崩裂，（热膨胀系数各向异性的），而硅片尺寸小，散热快，不易于崩裂。 2) 对硅片热处理，可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。;加工效果的评估;下一章的工艺;第四章 硅片表面的抛光技术;硅片抛光的意义;研磨片;研磨和抛光中关注的参数;1. 抛光片的特性参数;1）硅片理想状态;Si;2） 硅抛光片表面的平整度;TIR和FPD的示意图;抛光片的其它参数;弯曲度和翘曲度;弯曲度;单向翘曲;双向翘曲;3）硅抛光片的表面缺陷;划痕：研磨颗粒划出的狭长的沟槽，一般不会很深，重划痕～0.12um。 凹坑：表面上的凹陷小坑 波纹：大面积的，肉眼可见的，类似波纹的不平坦区。 沾污：吸附于表面的各种污染颗粒。 色斑：化学性沾污。 橘皮：大面积的，大量突起小丘的群体。 雾：大面积的，大量不规则缺陷（如小坑）引起的光散射现象，常常形成雾状。;2. 抛光前的化学减薄;1）化学减薄与作用;化学减薄的作用;2）化学减薄的方法;酸性腐蚀;酸腐蚀的机理;碱性腐蚀;碱性腐蚀机理;3）化学减薄的工艺过程;准备工作：配腐蚀液、开通风橱、准备冲洗水等。 厚度分选：2～5um分档，比如，d和d+6um属于两个种类。 腐蚀过程：控制温度、时间，腐蚀层一般10～20um。 冲洗甩干：用大量水将硅片冲洗，并甩干。 送检。;3. 硅片抛光的方法;1） 机械抛光;2） 化学抛光;3） 化学机械抛光;;内容回顾—硅片研磨;单位时间滚过的面积;理想抛光的必要条件;研磨片;4.3 硅片的化学机械抛光;1)化学机械抛光简介;CMP过程：抛光液中的碱与硅表层发生化学反应，并生成较疏松的硅酸盐(粘附在表层，阻碍深层反应)，再通过SiO2胶粒和抛光布垫的机械摩擦而脱离表面，从而实现表层剥离。此过程反复进行，从而对硅片逐层剥离，并实现对硅片的高精度抛光。 主要特点：化学反应—机械去除—再反应—再去除…是一种化学作用和机械作用相结合的抛光工艺（二者互相控制）。 优点：包含了机械、化学抛光的双重优点。;化学机械抛光示意图;抛光垫;CMP主要技术指标;2）化学机械抛光的原理;碱性SiO2抛光液;(1) 抛光液的组???与特点;各组分的作用;氧化剂：用于加快腐蚀速率。表层的Si和碱反应较慢，而SiO2和碱反应较快，氧化剂可以将表层Si氧化，从而获得较快腐蚀速度。 表面活性剂：分散不溶性颗粒，防止聚集沉淀。活性剂分子一端亲颗粒，一端亲溶剂，这样活性剂分子包围颗粒，而彼此互相排斥，从而颗粒易于被溶剂浸润，不会凝聚。 ;油脂;抛光液的主要作用;抛光液的主要参数;2）抛光垫;聚氨酯抛光垫微观结构;抛光垫整体结构;(3) 抛光中的化学和机械作用;a. 碱对硅的腐蚀作用 硅片表面是损伤层，存在非单晶Si和SiO2薄层 Si+2OH-+H2O=SiO32-+H2↑ SiO2+2OH-=SiO32-+H2O b. 胶粒(小)的吸附作用 较小的SiO2胶粒具有较强的吸附作用，可以吸附腐蚀的产物，使其脱离硅片表面。 c. 碱的络合作用 有机碱分子和某些重金属反应，生成络合物;机械作用;CMP的去除过程;化学、机械作用的关系;高精密度获得—多步CMP抛光;抛光精度控制原理;3) 设备种类与结构;有蜡抛光：利用蜡将硅片的一面粘结固定在陶瓷板上，而对另一面进行抛光 无蜡单面抛光：利用表面张力将硅片和载体板吸附在一起，再进行抛光。 无蜡单面抛光：整体结构类似研磨，上下磨盘，中间载体，载体中间的空隙用于防止硅片。;(1) 有蜡抛光： 优点是表面抛光效果较好， 缺点需要增加去蜡和清洗的工艺。 (2)无蜡抛光， 优点是避免了蜡的污染， 缺点是抛光精度略有降低。 单面抛效果优于双面抛光。 大尺寸硅片多采用有蜡抛光，而无蜡抛光 适用于小尺寸硅片。;(1) 有蜡单面抛光机 ;固定硅片流程;(2) 无蜡单面抛光机;(3) 双面硅片抛光机;底盘;载体的行星式运动;4) 抛光的工艺步骤;1）抛光前准备 a：动力：电源、水压、气压等 b：硅片装载具 c：抛光布垫 d：抛光液 e：清洗设备 2）厚度分选与装载;典型上机(有蜡)抛光;抛光过程中，是通过降低抛光液PH值，降低压力，缩短抛光时间等手段，逐步获得高精密的抛光表面。;4）取片 有蜡抛光： 将硅片和陶瓷板擦干净，然后加热，使蜡融化，然后用镊子取下硅片。 无蜡抛光： 将硅片用水冲洗干净，用吸笔将硅片取下，放入清洗池中。;理想的抛光的状态—速率; 而V2=BpKμh(n1+n2); V3= Cqsdr 则： V=V1=V2+V3=BpKuh(n1+n2)+Cqsdr B: 摩擦因子 ；p:压强； K:反应速率； μ