薄膜的物理气相沉积-蒸发法绪论.pptVIP

第2章 薄膜物理气相沉积 ---蒸发法;主 要 内 容; 一、定义 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD ） 利用某种物理过程，如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。;蒸发法：把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10-2Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面逸出，形成蒸汽流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。 具有较高的沉积速率、相对较高的真空度，以及由此导致的较高的薄膜纯度等优点。 溅射法：具有自己的特点，如在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对沉底的附着力较好。;2.1 物质的热蒸发;;2.1 物质的热蒸发;元素的质量蒸发速率：;影响蒸发速率的因素： 由于元素的平衡蒸汽压随着温度的上升增加很快，因而对元素的蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度。;（2）元素的平衡蒸气压 --- 元素的蒸气压： ?Clausius-Clapyeron方程：;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;? 蒸发源的选择： – 固体源：熔点以下的饱和蒸气压可以达到0.1Pa; – 液体源：熔点以下的饱和蒸气压难以达到0.1Pa; – 难熔材料：可以采用激光、电弧蒸发；;（3）化合物与合金的热蒸发 --- 多组元材料的蒸发： ? 合金的偏析：蒸气成分一般与原始固体或液体成分不同； ? 化合物的解离：蒸气中分子的结合和解离发生频率很高； -- 蒸发不发生解离的材料，可以得到成分匹配的薄膜：如 B2O3, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2,…… -- 蒸发发生分解的材料，沉积物中富金属，沉积物化学成分发生偏离，需要分别使用独立的蒸发源；如：Ag2S, Ag2Se, III-V半导体等；; – 蒸发发生解离的材料；沉积物中富金属，需要分立的蒸发源； 硫族化合物：CdS, CdSe, CdTe,…… 氧化物：SiO2, GeO2, TiO2, SnO2, ;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;合金的蒸发： ? 合金薄膜生长的特点：合金薄膜不同于化合物，其固相成分的范围变化很大，其熔点由热力学定律所决定； ? 合金元素的蒸气压： – 理想合金的蒸气压与合金比例(XB)的关系（拉乌尔定律）： PB=XBPB(0) PB(0)为纯元素的蒸气压； – 实际合金的蒸气压：PB=γBXBPB(0) = aBPB(0) – 合金组元蒸发速率之比：;蒸发质量定律的应用: ? 假设所制备的Al-Cu合金薄膜要求蒸气成分为Al-2wt%Cu：即：ΦAl/ ΦCu=98MCu/2MAl，蒸发皿温度：T=1350K。求所配制的Al-Cu合金成分。 ? PAl/PCu=1×10-3/2 ×10-4, 假设：γAl= γCu 则：XAl/X Cu=15 (mol比)≈6.4 (质量比) － 计算只适用于初始的蒸发，若蒸发持续进行，成分将平衡到某一固定的值； － 蒸气成分的稳定性与蒸发工艺有关；;— 蒸气成分稳定性的控制: ? 增加熔池内蒸发物质总量(V0) ? 减小组分变化(vr) ； ? 减少蒸发物质总量，短时间完成蒸发，多次添加； ? 分立纯金属源独立蒸发控制：存在薄膜成分不均匀的可能； — 蒸发方法的缺点： ? 不适合组元蒸气压差别比较大的合金薄膜； ? 多元合金的成分控制比较困难：;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;? 面源：蒸发源的几何尺寸与基片的尺寸相当； – 沉积量： – 基片某点的沉积量与蒸发源法向方向和基片法向方向夹角有关；与该点和蒸发源连线与基片法向的夹角有关；;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;面源的高阶效应: ? 实际的面源沉积量与蒸发源法向方向和基片法向方向夹角的余弦函数的高阶幂有关； ? n的大小取决于熔池的面积、深度; – 面积小、熔池深将导致n的增加；但针对挥发性强的物质，则有利于对真空室壁污染的保护；;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;薄膜厚度与位置的关系:单蒸发源情况 ?点源： ?面源：;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;改善薄膜均匀性的方法： ? 改变几何配置 ? 添加静态或旋转挡板；;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;? 蒸发源纯度的影响： ? 加热器、坩埚、支撑材料等的污染： ? 真空系统中残余气体的影响： – 蒸气物质原子的沉积速率： – 薄膜中杂质的浓度：;假设运