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复合铪基高k 薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究 中文摘要 复合铪基高k 薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究 中文摘要 以硅基集成电路为核心的微电子工业正遵循着摩尔定律蓬勃发展。国际半导体技 术发展规划指出，2015年以后半导体器件将进入22 nm线宽的纳电子器件时代，并将 持续缩小特征尺寸。然而器件的沟道尺寸和栅介质厚度等物理尺寸并不能无限缩小。 在65 nm线宽工艺制程中，传统栅介质材料SiO 的厚度已经接近原子间距，达到物理 2 极限。受隧穿效应的影响，栅极漏电流开始成为一个不容忽视的问题。采用高k材料 代替传统的SiO 则能有效解决上述问题，因为在具有相同等效氧化层厚度的前提下， 2 高k栅介质具有更大的物理厚度来限制隧穿效应的影响，防止漏电流增大和杂质扩散。 以HfO 为代表的铪基高k薄膜因具有相对较高的介电常数、较宽的带隙以及与Si衬底 2 之间较大的导带偏移 （1.5 eV），成为目前备受关注、最具应用前景的新型栅介质材 料之一。但是，铪基高k材料作为目前MOS工艺中新型栅介质材料应用时，仍具有一 定的不足之处，如HfO 在制备过程中易形成氧空位等本征缺陷、与Si衬底之间易形成 2 界面层以及与金属电极接触会形成费米能级的钉扎等。如何优化铪基高k材料的质量 和提高铪基栅介质的性能，成为国内外广泛关注的课题。本文针对铪基高k材料的不 足之处，通过优化沉积条件制备了质量较高的复合铪基高k薄膜，并通过热处理和低 温等离子体处理改善了薄膜性能，开展了一系列的研究工作。 （1）采用三种频率 （2 MHz 、13.56 MHz 、27.12 MHz ）的射频源驱动的磁控溅 射技术制备HfO 薄膜，研究工艺条件对薄膜结构和性能的影响。结果表明， 13.56 2 MHz射频源驱动的磁控溅射技术具有较高的薄膜沉积速率，制备的薄膜表面平整均 匀，是比较适合的高k材料的制备方式。HfO 薄膜表面的润湿性可以通过溅射频率和 2 溅射功率进行调制。采用27.12MHz射频源驱动的磁控溅射技术在功率为180W条件下 o 制备的HfO 薄膜表面水接触角达到91.5 ，表现为疏水表面。射频放电等离子体的离 2 子能量影响所制备HfO 薄膜的光学性能。 2 （2 ）溅射制备的HfO 薄膜在高频准静态正反向C-V测量中表现出较大的电滞回 2 线。随着测试频率的改变，C-V 曲线呈现严重的频散效应。这些结果表明制备的HfO2 I 中文摘要 复合铪基高k 薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究 薄膜的电学性能有待提高。双频容性耦合等离子体 （DF-CCP ）的等离子体密度和离 子能量可以分别通过高频和低频功率调控。采用C F DF-CCP对HfO 薄膜表面进行改 4 8 2 性处理以提高薄膜的电学性能。F原子在等离子体处理过程中被引入HfO 薄膜中。通 2 过优化高频功率并结合热退火后处理工艺，获得稳定的四方相结构；通过优化低频功 率可以抑制表面CF层的生长。F 的引入钝化了薄膜缺陷，Hf-F键的形成降低了界面态 密度，因此薄膜的电学性能得到了极大地提高。为了抑制CF沉积，在放电源气体中 添加O ，结果表明薄膜k值增加，电学性能进一步提高。 2 （3 ）为了在 Si 衬底上制备高质量的铪基高 k 薄膜，采用 N2 DF-CCP 等离子体对 Si 基片进行预处理。结果表明等离子体基片预处理，有效地减少了退火过程中 Si 元 素的扩散，抑制了界面 HfSiO 的形成，提高了界面质量。稀土元素 Gd 被掺入 HfO2 薄膜中以制备复合铪基高 k 材料。与 HfO2 相比，HfGdO 薄膜具有高的 k 值，这是因 为 Gd 元素的引入使得薄膜在退火后呈现稳定的立方相结构。在等离子体预处理的基 片上沉积的 HfGdO 薄膜具有最高的介电常数和最小的回滞电压偏移，呈现优良的电 学性能。 （4 ）为了实现复合薄膜中掺杂元素含量的精确调控，尝试双射频源驱动的磁控 溅射技术制备复合 HfErO 薄膜。结果表明，采用 13.56MHz /27.12MHz 双频溅射制备 HfErO 薄膜时，薄膜厚度和 Er 元素的掺杂量随 27.12MHz 射频源功率呈现线性增加 趋势。通过功率优化，可以制备具有较高的折射率和较宽禁带的 HfErO 薄膜。而采 用 13.56MHz /2MHz 双频溅射时，由于放电等离子体中形成高能量离子，薄膜生长在 离子轰击作用下被抑制。因此，采用双频驱动的磁控溅射技术制备复合高 k 材料时， 射频源频率组合的选择仍需要综合考虑。 （5 ）实验工作表明 F 掺杂 HfO2 有效地钝化了薄膜缺陷，提高了薄膜电学性能， 然而 F 钝化氧空位的内在机理仍需进一