第六章外延生长介绍.pptVIP

第六章 外延生长 （Epitaxial Growth）;外延生长（Epitaxial Growth）工艺;外延层;三种外延工艺的示意图;a.? 气相外延工艺（Vpor-Phase Epitaxy） b.? 液相外延工艺（Liquid-Phase Epitaxy）;二、气相外延生长的热动力学;1) Deal模型是一个半定量模型，但它将外延生长过程过于简单化处理：;6）反应副产物的解吸附。;a. 总反应式：;该临界尺寸可写为：;图14.5 一个大气压下，Cl:H比为0.06 时， Si-Cl-H系统的平衡气压。;图14.6 生长速率与SiCl4的函数关系，当Cl浓度高时 出现硅的刻蚀现象。;3、超饱和度（supersaturation）模型;先计算反应腔中Cl－ H的比率，再查图读 取Si－Cl比率。;(3) 估算SiCl4浓度的饱和度的例子;a. Cl的含量增加后，超饱和度下降，当SiCl4含量为20％～30％时， 由外延生长转为刻蚀。 b. 当SiCl4含量为10％左右时，外延生长速率有一个最大值？;4、薄膜生长的三种模式：;5、硅片表面的化学反应;图14.8 不同硅源外延淀积速率与温度的关系;三、外延层的掺杂与缺陷;(2) 有意掺杂：最常用的掺杂源B2H6 AsH3 PH3;(1) 外延层中的缺陷种类：体内缺陷与表面缺陷 a. 体内缺陷：堆跺层错与位错，由衬底缺陷延伸或外延工艺引入 b. 表面缺陷：表面凸起尖峰、麻坑、雾状缺陷等 通过改进衬底制备工艺、清洗工艺和外延工艺条件，可极大 改善上述缺陷密度。;四、硅的气相外延工艺;(1) 化学清洗工艺：高纯度化学溶液清洗→高纯度去离子水冲洗 →高纯度N2甩干;DHF的主要作用是去除自然氧化层;a. 快速热处理工艺：SiH2Cl2在高温下进行短时外延 b. 超高真空CVD外延： 低温低气压下，硅烷分解形成硅外延层;a. 卤化物GaAs气相外延：HCl+AsH3气体流过加热的固体Ga源， 生成GaCl气体，输运至圆片表面生成GaAs。 b. 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）：用于生长高质量 （具有原子层级的突变界面）III－V族化合物 c. 分子束外延（MBE）技术：生长厚度精度为原子层级，膜质 量为器件级的外延层;图14.14 各种外延 生长技术的温度和 气压范围;■ ? 硅的气相外延技术： ■ ? VPE的热动力学：Deal模型与连续步骤模型。 ■ ? Si－Cl－H系统中的气相反应，超饱和度概念。 ■ ? 外延层的掺杂与缺陷。 ■ ? 硅气相外延工艺：反应原理、工艺过程与先进技术。 ■ ? 其他的外延技术：MOCVD、MBE等等;教材第393页，第2、5题