10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.2 PN结及其单向导电性 10.2.1 PN结的形成 10.2.2 PN结的单向导电性 2.PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 10.3 半导体二极管 10.3.2 伏安特性 10.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 10.4 稳压二极管 3. 主要参数 10. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 10.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 10.5.4 主要参数 1. 电流放大系数,? IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB , IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化,是CCCS器件。
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