现代光分析-4技术分析.pptVIP

检测器 光电管 光电倍增管（160-700 nm） 光电倍增管 硒光电池 红敏管 625-1000 nm 蓝敏管 200-625 nm Ni环（片） 碱金属 光敏阴极 h? 待扫描 1个光电子可产生106～107个电子 侧窗管 端窗管 管座 光电倍增管的响应曲线 红敏管 625-1000 nm 蓝敏管 200-625 nm PMT的线性响应： PMT的阳极电流要正比于光强度 PMT的暗电流 PMT的“疲劳”现象 不要用裸手触摸PMT的外壳 APD (Avalanche Photo Diode) 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。 应用于各种小计量光探测，甚至是单光子探测。 * * * * 第五节 荧光仪器