第9章半导体三极管与放大电路要点.ppt

发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 第9章 半导体三极管与放大电路 9.1.1半导体三极管的结构与分类 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 9.1.2 三极管的电流分配与放大作用 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 图9.3（a）为NPN管的偏置电路，即：UC UB UE ， 图9.3（b）为PNP管的偏置电路，满足：UE UB UC 图9.3 三极管具有放大作用的外部条件 1.电流分配关系的测试 图9.4所示为三极管各电极电流分配关系的测试电路，当我们改变电位器RP的阻值时，就可以改变基极电流IB ，集电极电流IC和发射极电流IE也将随之改变，其实验结果如表9.1所示。 图9.4 电流分配关系测试电路 表9.1 三极管电流的测试数据 IB/mA 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA 0.01 1.09 1.98 3.07 4.06 5.05 IE/mA 0.01 1.10 2.00 3.10 4.10 5.10 2. 电流测试数据分析 （1） 由表9.1容易得到：IE = IB + IC。 （2） IC、 IB间的关系。从表中第二列、 第三列数据可知： ≈ 100 ≈ 3.用 表示三极管共发射极直流电流放大系数，即 = 4. 用β表示三极管共发射极交流电流放大系数, 即 在工程计算时可认为 ≈β 。 IC V UCE UBE RB IB EC EB 图9.5 三极管特性曲线的测试电路 9.1.3三极管的特性曲线 + - + - b c a 1、输入特性曲线 工作压降： 硅管uBE?0.6~0.7V,锗管uBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 当uCE1V时，三极管集电结的电场已足够大，可以把从发射区进入基区的电子绝大部分吸引到集电极，uCE对IB的影响可以忽略。当 uCE1V时，各条输入特性曲线基本重合。 iB = f (uBE)|uCE =常数 二、输出特性 iC(mA ) 此区域满足iC=?iB称为线性区（放大区）。又称恒流区。 当uCE大于一定的数值时，iC只与iB有关，iC=?iB。 iC = f (uCE)|iB =常数 此区域中uCE?uBE集电结正偏，iC不等于 ?iB，失去放大作用。uCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : iB=0,iC=iCEO,uBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 三极管具有两种作用： （1）三极管工作在放大区，以实现放大作用。用于放大电路 （2）三极管工作在截止区或饱和区，相当于一个开关的断开或接通。用于开关电路！ 例： ?=50， UCC=12V， RB =47k?， RC =3k? 当USB = -2V，2V，6V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 例： ?=50， UCC=12V， RB =47k?， RC =3k? 当USB = -2V，2V，6V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =2V时： Q处于放大区 USB =6V时: 例： ?=50， UCC=12V， RB =47k?， RC =3k? 当USB = -2V，2V，6V时， 问：晶体管工作于哪个区？ Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 9.1.4 三极管的主要参数 1、电流放大系数β：iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：?下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 （3）集电极最大允许功耗PCM 。 9.2.1 放大的实质：用较小的信号去控制较大的信号。 9.2 单管电压放大