制绒段常见不良及常规解决方法试题.ppt

制绒段常见异常及常规解决方法 制绒不良树状结构图 片源异常及解决方法 1、指纹及划痕 指纹片源于：硅片厂家在硅片清洗过程时进行裸手插片，或者插片时所穿戴的手套不能满足隔汗要求（自身来料检有时也会引入）； 划痕源于：硅片厂家在插片过程的摩擦，同时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我们公司自身的来料检验。 指纹区 划伤区 表现形式：指纹或划伤经制绒后均清晰显现，制绒后，指纹或划伤区的颜色较正常区域浅，从而显得该区域略显发白； 解决方法：指纹与划伤在制绒良好时，均不会导致B2片产生，对B1片贡献也相对较小。在上述问题产生时，可维持正常生产时，同时，收集好指纹及划伤片的实例照片，并进行指纹及划伤片数目大致汇总。 片源异常及解决方法 更多照片： 通过问题反馈及供应商自身改善，指纹及划伤出现的概率较之前大幅下降，但仍有部分厂家硅片存在较多指纹及划伤。 历史黑名单：晶科、天元、聚能、东泰、芯能、顺大 当前：合格供应商中，天元硅片指纹及划伤出现的概率仍相对较高 片源异常及解决方法 2、脱胶不良 脱胶不良产生原因：硅片厂家在进行硅片脱胶处理时，硅片粘棒一侧的粘胶（一般为AB胶）没有去除完全，未去除完全的胶带在后续清洗过程中部分溶解并附于硅片表面。 脱胶不良的表现形式：脱胶不良的硅片经制绒后，在硅片有机物残留区，硅片出绒不全或出绒较小导致该区域较其他区域发白。脱胶不良产生时，位置固定且一般整体连续出现。 片源异常及解决方法 脱胶不良解决方法： 脱胶不良在轻微时，脱胶不良区域硅片仍可正常出绒，但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白，仅对B1类有所贡献，不会造成B2片。对该情况，可维持正常生产，同时，做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时，脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时，脱胶不良将对B2片产生贡献。对该种情况，对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理；对后续待制绒硅片，可以通过适当增加氢氧化钠浓度的方式来加快硅片的腐蚀速率，从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况，也同样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。 历史黑名单：脱胶不良出现概率极低，但仍需保持警惕，已发生过脱胶不良的厂家有两家：LDK（125M），比例较高，KMDK（156M），比例较小。 片源异常及解决方法 3、切割后未及时清洗，清洗剂残留（清洗不良，硅片表面油污未得以完全去除） 硅片切割后未及时清洗（图1）；清洗剂残留（或清洗过程未彻底去除硅片表面油污）（图2、3） 片源异常及解决方法 硅片切割后未及时清洗的表现形式：硅片切割后未及时清洗，硅片四周会因风干而导致表面脏污难以去除，经制绒，表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白产生。其重要特征为：周边一圈发白，且具有良好的重复性。 硅片表面脏污未得以完全去除（或硅片表面有机无残留）：硅片表面油污的存在导致硅片在制绒过程根本难以出绒，硅片的腐蚀变得缓慢，相同条件下的硅片去重较正常情况明显减少。 解决方法：当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留（有机洗剂残留）时，硅片的制绒将难以持续。正常解决流程为：先申请停线，同时，开始进行在线调整，制绒：可通过加大氢氧化钠浓度，提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率；预清洗：采取可去有机的溶液配制进行硅片表面清洗；若上述方向的调整没有明显改善，可直接停线等待，并与供应商进行积极沟通。 历史黑名单：芯能、顺大 当前黑名单：阳光硅谷 (出现比例极少,上面第四幅图) 片源异常及解决方法 4、线痕 线痕片大幅存在，线痕片存在的隐患为：深线痕可能导致更高碎片率，多线线痕可能影响外观并对效率有轻微影响。 线痕表现形式：线痕可从外观直接看出，一般为一根或数根直且细的沟壑（缺照片）。 对单晶而言，线痕分为单线线痕及多线线痕，单线线痕一般因切割断线引起，多线线痕一般为切割浆料异常引起（如回收液的大量使用）。 对多晶而言，线痕除上述单线线痕及多线线痕外，还存在一种与单线线痕类似的硬点线痕，硬点线痕产生的方式为多晶铸锭过程，涂层破损或其他因素引起碳原子扩散进入硅熔体而形成局部碳化硅杂质，碳化硅的存在导致硅片切割时产生断线，引起硬点线痕。 对于线痕片，其引起的影响相对较小，但由于其更属于隐性干扰，难以估量。因此，在制绒段发现线痕片时，除非有质量部门的明确标识：线痕片，让步接收，才可正常进行统一生产。否则，在有线痕片存在时，一律先搁置一边，待得到采购、质量确认后，才统一进行正常生产。 黑名单：当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关，线痕片出现极少。 设备异常及解决办法 设备引起的制绒异常主要有如下几个特征： 1、独立性。由