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GM计数管微功耗高压电源的设计 摘要：本文根据核辐射测量用GM计数管的需求特点设计了5V-450V高压及脉冲整形电路模块并进行了计算、仿真和测试，结果表明该电路具有体积小、功耗低、输出稳定可靠的优点。 关键词：核辐射探测；微功耗；450V；脉冲整形。 0 引言 随着核工业的发展，GM计数管作为核辐射探测仪器中普遍采用的传感器之一，因其灵敏度高、体积小、重量轻且测量电路简单可靠等特性在便携式核仪表中得到了广泛的应用。但是从国内现状来看在GM计数管的前置电路特别是高压电路与国外先进水平有一定差距，国外的高压电路一般变压比高、输出精度高、静态电流小，国内在升压比方面不成问题，但是输出高压的波动性较大，且静态电流较大，不仅使整机功耗增大，而且因为大电流导致高压模块发热最终降低了高压部分器件的整体性能，从而限制了其在便携式核仪表方面的应用。 本文立足于常规电子元器件和国产变压器设计制作了5V供电、200V-700V可调高压输出、500V以下精度0.2%、静态功耗1.2mW、最大输出功率可达到200mW以上的高压及脉冲整形前置模块。 1 电路设计 1.1 升压工作原理 设需要输出的高压为UHV，变压器次级线圈和初级线圈之比为N2：N1=n,则初级线圈需要产生的平均电压约为U1=UHV/n（变压器初次级线圈的互感忽略，铁铜损不计，以下皆同），初级回路一般为斩波升压，如图1所示： 图1 变压器初级线圈工作示意图 S为斩波电子开关，L为初级线圈，r为初级线圈等效电阻，D1为反向高压二极管，R为升压电阻，R的一端为输出高压U1，一般r为Ω级，R为MΩ级，在0时刻S闭合时L开始储能，L+r两端电压为UBAT约等于R两端电压(D1压降忽略，以下皆同)，而经过线圈L的电流为： 在T0时刻S断开，电路进入升压阶段，U1输出为： IT0为T0时刻L上的电流。 假设又经过T0时刻后即2 T0时刻S闭合，则在第一个周期内U1处的平均电压为： 1.2 输出高压计算 对于常见的仪表用贴片型变压器一般绕线高度8mm，绕线直径10mm，初级线圈铜丝线径0.1mm，为保证匝数比≥90初级线圈的匝数不是很高，一般为≤10圈，这里以8圈为例，经计算初级线圈的电感值为504nH，电阻值以10Ω计算； 对于升压电阻R我们选择10MΩ电阻； 电源电压UBAT=4.8V； 电子开关使用占空比为1的矩形波控制，周期为10μs，即T0=5μs。 这样在第一个周期内，U1处的平均电压为： 而UHV=n×U1=0.0484×90=4.356（V），可见在1个开合周期内输出高压不能达到使用要求，但是第一个周期内产生的高压将会累积在输出端储能电容上，储能电容大小一般为10nF，并联电阻一般为GΩ级，以2GΩ计算其放电时间常数为20s，对于初级升压来说可以认为输出电压恒定，经计算输出高压要达到450V约需要N=450/4.356=103.3个开合周期。这时可以使变压器间歇工作以降低静态功耗——当输出电压大于等于阈值电压时变压器停止工作，当输出电压小于阈值电压时变压器继续工作进行升压，该模块工作原理框图如图2所示： 图2 高压电路工作模块简图 1.3 电路功耗估算 我们先来计算变压器工作时从0V输出至450V输出升压过程中的静态电流，由于R值很大，其电流可以忽略，所以电路的主要功耗集中在L和r上。假设输出450V时要求精度为1V，则变压器第一个工作周期时长为： 则第一个工作周期内平均工作电流为： 在第二个及以后的升压周期内每个周期所用的升压时间解下方程可得： 这个结果是在理想情况下算出来的，如果是1V的误差在静态情况下每次所用的升压时间极短，已经超出了电子开关的响应时间。所以估算过程用如下方式。 静态下第二个及以后的升压周期每个周期时长为： 在第二个及以后的升压周期内每个周期的平均工作电流为： 那么加电后第一秒内平均电流为： 以后静态下维持高压每秒的平均电流为： 由于其他元件都是CMOS和无源器件，工作电流很小，所以电路整体功耗较小，实验电路的实测静态功耗约为1.2mW。 1.4 高压及脉冲整形电路 高压部分原理图如下图3所示： 图3 高压电路原理图 四与非门U1与R6和C1构成了脉冲信号发生器，用来产生占空比1：1的矩形脉冲，周期由R6和C1的值确定，场效应管Q1相当于电子开关，受控于矩形脉冲，T2为升压变压器，D2、C5进行整流，HV_OUT为高压输出接计数管，Q2、Q4、Q7、R4、R18、R7组成了高压反馈及调整电路。 图4为脉冲整形电路： 图4 脉冲整形电路原理图 signal_in为计数管输出的模拟脉冲，经过C4、R16、R17进行简单的调幅调宽后送入由四与非门U4组成的正脉冲触发单稳态电路再输出标准宽度的TTL脉冲用于计数，脉冲宽度由C3、R8的值确定。 2 实验测试 首先根据以上设