交变电场中电介质的损耗-计漏电导的损耗研讨.pptVIP

复介电常数 介质损耗 弛豫现象 德拜方程 弛豫机制 介质损耗与温度的关系 考虑漏电导时的介质损耗 第四章 交变电场中电介质的损耗 计及漏电导时的介质损耗 推导 Kramers-Kronig 关系式及德拜方程式时， 当时声明：暂不计及漏导电流及漏导损耗。 但是，实际电介质，受外电场作用时，除了由弛豫导致电流密度外；也有漏电导电流密度，这样，综合电介质中电流密度各种贡献. 实际电介质中电流矢量图将如图 4-21 所示。 图 4-21 实际电介质中的电流矢量 产生损耗的有功电流密度 包括如下两个分量： j l p 弛豫过程产生的有功电流密度； j l c 漏导引起的电流密度。 不产生损耗的无功电流密度 也有两个分量： j cc 由位移极化产生的纯电容电流； j c p 由弛豫过程 极化 产生的电容电流。 图 4-21 实际电介质中的电流矢量 于是，在计及了漏电导时，有定义式，有： 介质损耗角正切为： 式中，γ 是介质的电导率。 j l p 对应弛豫贡献的电流 j l c 对应漏导贡献的电流 4-129 参见公式（4-11） 4-11 如果计及德拜方程 式 4-73 和式 4-74 ， 并注意到式 4-86 ，便有： 4-130 比较较德拜方程： 计及漏电导时的介质损耗 ： 计及漏电导的介质损耗变得复杂了。 不计漏电导的介质损耗普遍情况中的一个特例。 特殊地，介质电导率γ 很小，漏导电流可以忽略时， 式 4-130 转为式 4-75 ，损耗全部由弛豫过程引起。 4-130 4-75 （1）对静电场 ω＝0，由 4-130 可知， tgδ →∞。 表示静电场中，tgδ 是没有物理意义的， tgδ 只是介质在ω ≠ 0 交变电场中的物理参数。 1 tgδ 与频率的关系 4-130 （2）当频率很低时 含有 ω2τ2 或 ω2τ 的项可以略去，故损耗主要由漏导电流引起，此时有： 由此可见： 在低频段，tgδ 随频率升高成反比地下降。 4-131 4-130 （3）当频率较高时 tgδ 与ω 的关系基本上服从于图 4-9 c 所示变化规律。 图 4-9 a 与频率的关系; b 与频率的关系； c 与频率的关系 电导损耗所占比例逐步增加时，tgδ 弛豫最大值不显著； 当γ 值很大时，tgδ 的极大值有可能完全被淹没。 tgδ 与频率的关系分别如图 4-22 a 和图 4-23 a 所示。 图 4-22 计及漏导损耗 图 4-23 电导率不同的损耗 （1）当温度很高时 电导率 γ 变得很高，式 4-130 中其余各项影响相对很小，故此时 tgδ 的表达式仍适用于式 4-131 ，即： 2 tgδ与 温度的关系 而γ 与温度的关系是： γ ＝ A 因此，当主要考虑电导的影响时， tgδ 随温度升高指数式增大。 tgδ＝ ?rs （2）当温度很低或较低时 由于γ 值小，电导引起损耗的比例相对较小， 介质损耗主要决定于弛豫过程： 一定额率下于某个温度出现 tgδ 的极大值； 当频率增高时，出现 tgδ 极大值所对应的温度向高温方向移动。 图 4-22 计及漏导损耗时 tgδ的温频特性 a 频率；（b）温度 （3）在总的介质损耗中 由电导引起的损耗分量所占比例逐渐增加时， tgδ 的弛豫极大值不会那么明显。 电导率 γ 很大的介质，tgδ 的极大值还可能完全被淹没，tgδ～T 的关系服从于γ ～T 的指数变化关系。 tgδ 与温度的关系分别示于图 4-22 b 和 4-23 b 中。 温度不太高， 电导不太大。 温度比较高， 电导比较大。 图 4-22 计及漏导损耗时 tgδ的温频特性 a 频率；（b）温度 图 4-23 电导率不同的介质损耗因子温频特性 （曲线1到5对应于电导率由小到大） 计及漏导损耗时，由式 4-8 可以看出， 自由电荷引起的电导率γ 对复介电常数的贡献是 -i γ/ω 。通常可以把有电导的介质材料看作是： 由一种理想的不导电的介质与一个电阻并联而成. 所以具有电导的存在松弛机制的介质复介电常数方程是： 直流电导率对 Cole-Cole 园图的影响 4-132 显然， 电导项对 Co1e-Cole 图产生影响。 并且电导率愈大，则计及直流电导率影响的实际图形偏离 Co1e-Cole 半圆愈益明显。 如图 4-24 所示。 图 4-24 直流电导率对 Cole-Cole图的影响 4-132 其中ε” 用 ε’ tgδ 代替 tgδ ε”／ε’ ，即有： 3-133 最后应指出： 在 tgδ 的关系确定以后，只要考虑到式 4-40 ， 介质内所耗散的能量密度 w 可以计算，即： w 焦耳／米