微电子基础实验2015版研讨.docVIP

微电子基础实验 实验指导书 孙显龙 主编 二○一五年四月 半导体导电类型的观测 一实验目的： 半导体材料有电子和空穴两种导电机构，N型硅以电子导电为主，P型硅以空穴导电为主导电类型测量就是要确定单晶硅是电子导电为主，还是空穴导电为主。 二、实验原理： 在半导体材料中，载流子的浓度随温度升高而增加。如图1所示，在半导体表面接触一个有一定温度的热探针和另一个为室温的冷凝针，在半导体中会产生热电势，其大小取决于导电类型载流子浓度和温差。N型和P型材料的电势方向是相反的。对于P型硅热探针附近的多数载流子空穴增加形成浓度梯度，引起空穴由热端向冷端扩散，因此，其热电势是热端为负，对N型硅则相反，热端为正，在两探针外接上电流，则可根据电流方向判断硅的导电类型。 三、实验内容： 半导体导电类型的冷热探针测量法原理及方法。 熟悉测量前对半导体被测量表面的处理方法。 测量硅单晶样品的导电类型四、实验方法和步骤： 图1 热探针测量原理图仪器测量：接通仪器电源，加热热探针，注意热探针要放好位置，防止烧坏导线和其他物品。冷热探针同时垂直压于单晶硅表面，观察电流表指针的偏转方向判断硅的导电类型。 自选方法：自制冷热探针（如用电烙铁做热探针），选用连接成测量电路，测量硅单晶的导电类型可采集信号通过放大用仪器或仪表观察 五、实验要求：（略） 单晶硅电阻率的测试 一实验目的