改 3.2半导体的光电效应研讨.pptVIP

第二节 半导体的光电效应 光电导效应 第二节 半导体的光电效应 光伏效应 正向偏压: 反向偏压: PN结的单向导电性 光生电动势与光电流 短接 开路 接负载 第二节 半导体的光电效应 3.光电发射效应 第二节 半导体的光电效应 * * 光电导效应 光伏效应 光电子发射效应 光电转换的两个概念 光电导探测器 光伏探测器 光电子发射探测器 利用光电效应制成的光电探测器称为光子探测器 当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率变化，这种现象称为光电导效应。 非本征光电导效应 本征光电导效应 (杂质光电导效应) －－杂质吸收 －－本征吸收 本征光电导 暗电导率： 亮电导率： 光电导率： 非本征光电导 光电导率： 光电导效应 光伏效应 光电子发射效应 光电转换的两个概念 N P PN结 光 一块半导体， P区与N区的交界面称为PN结。PN结受到光照时，可在PN结的两端产生电势差，这种现象则称为光伏效应。 1)PN结的形成 扩 散 形成：耗尽区 空间电荷区 内建电场 浓度差异 E 漂 移 扩散与漂移方向相反 扩散==漂移 平衡 PN结形成 扩散---增强内建电场---阻止扩散 漂移---减弱内建电场---阻止漂移 PN结的形成 摘自教育部新世纪