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第三章 缺陷物理 一、材料的实际晶体结构 1、单晶体( single crystal )的特征: * 晶体由一个晶格排列方位完全一 致的晶粒组成。 * 晶体具有各向异性( aeolotropy )。 例如:单晶硅、单晶锗等。 单晶体结构示意图 2、多晶体( polycrystal )的特征 *晶体是由许多颗晶格排列方位不 相同的晶粒组成。 *晶体具有各向同性( isotropy )。 例如: 常用的金属等。 多晶体结构示意图 3、晶粒： 多晶体材料中每个小晶体的外形多为不规则的颗粒状，通常把它们叫做“晶粒”。 晶粒与晶界示意图 三、晶体中的缺陷概论 即使在每个晶粒的内部，也并不完全象晶体学中论述的(理想晶体)那样，原子完全呈现周期性的规则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。晶体中的缺陷的数量相当大，但因原子的数量很多，在晶体中占有的比例还是很少，材料总体具有晶体的相关性能特点，而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。 四、晶体缺陷( crystal defect )的类型 §3.2 点缺陷 点缺陷示意图 §3.2 点缺陷 热缺陷的类型 热缺陷产生示意图 杂质缺陷的类型 点缺陷形成的物理模型 虽然从几何图象上，我们已经认识了诸如空位、间隙原子等点缺陷。那么，请思考下面的问题。　(1)点缺陷形成的物理本质是什么？　(2)点缺陷形成的驱动力来自何处？ 点缺陷形成最重要的环节是原子的振动。晶体中的原子在其所处的原子相互作用环境中受到两种作用力：　　(1)原子间的吸引力。　　(2)原子间的斥力。　　在这对作用力的平衡条件下，原子有各自的平衡位置。重要的是原子在这个平衡位置上不是静止不动，而是以一定的频率和振幅作振动，这就是原子的热振动。 温度场对这一振动行为起主要作用。温度越高，振动得越快，振幅越大。而且，每个原子在宏观统计上表现出不同的振动频率和振幅，宏观表现上是谱分布。也就是：原子被束缚在它的平衡位置上，但原子却在做着挣脱束缚的努力。 现在我们设想这样一种情况：当温度足够高使得原子的振幅变得很大，以致于能挣脱周围原子对其的束缚。因此，这个原子就成为“自由的”，它将会在晶体中以多余的原子方式出现？如果没有正常的格点供该原子“栖身”，那么这个原子就处在非正常格点上即间隙位置。显然，这就是我们前面所说的间隙式原子。由于原子挣脱束缚而在原来的格点上留下了空位。这就是点缺陷形成的本质。 在这个例子中，温度是使原子脱离平衡位置的动力，是形成点缺陷的外界条件，我们把它称之为点缺陷形成的驱动力。当然，点缺陷形成的驱动力还可以是其他方式，如：离子轰击、冷加工等等。值得说明的是，在外界驱动力作用下，哪个原子能够挣脱束缚，脱离平衡位置是不确定的，宏观上说这是一种几率分布。每个原子都有这样的可能。 位错（Dislocation）是晶体中普遍存在的线缺陷，它的特点是在一维方向的尺寸较长，另外二维方向上尺寸很小，从宏观看缺陷是线状的。从微观角度看，位错是管状的。位错对晶体的生长、扩散、相变、塑性变形、断裂等许多物理、化学性质及力学性质都有很大影响。因此位错理论是材料科学基础中一个重要内容。 晶体在不同的应力状态下，其滑移方式不同。根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征不同，位错分为刃位错、螺位错和混合位错。 刃位错示意图 螺位错示意图 螺位错形成示意图 螺位错示意图 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 位错的滑移 位错滑移的机理： 位错在滑移时是通过位错线或位错附近的原子逐个移动很小的距离完成的。 位错的攀移 位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。刃位错除了滑移外，还可进行攀移运动。 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 刃位错攀移示意图 晶体中的界面分类： 晶界的分类： 几何特征： 位错线与原子滑移方向相平行；位错线周围原子的配置是螺旋状的。 （b）螺位错滑移面两侧晶面上原子的滑移情况 （a）与螺位错垂直的晶面的形状 混合位错 在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向，这样的位错称为混合位错。 位错的运动 刃位错的运动 螺位错的运动 混合位错的运动 刃位错的滑移 （a）正刃位错滑移方向与外力方向相图 （b）负刃位错滑移方向与外力方向相反 （a）正攀移